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DRAM產業競爭 台系DRAM廠轉型與挑戰


30 August 2010 半導體

Aug. 30th ,2010-------根據集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出,台系DRAM廠中, 南科以及華亞科在明年將有產能提升及製程轉進兩大因素,使產出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產能從3萬6千片提升至5萬片,明年上半年可達6萬片,華亞科也由今年平圴月產能不及10萬片提升至滿載產能13萬片,同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm,預計明年南科及華亞科的DRAM產出成長率居全球之冠,以品牌銷售顆料計,南科明年將成為台灣DRAM廠之冠。

觀察台系DRAM產業的發展史,以華邦成立於1987年最早,孕育台系DRAM人才無數,台灣DRAM產業於1994年後快速發展,力晶、茂德與南科相繼成立,與日系廠商展開技術合作,華亞科與瑞晶於2003年與2007年以台灣、德國及台灣、日本合資設廠, 使台灣DRAM產能於2008年底月投片量達53萬片,占全球DRAM投片量35%,成為全球12吋DRAM廠密度最高的國家,但在2007年至2009年嚴重的供需失衡下,,台系DRAM廠也承受極大的財務虧損壓力。

根據集邦科技統計,韓系廠商在今年第二季營收排名的市占率已經高達55。3%,比2008年第四季金融風暴時期的45。5%,成長近10%,而台系DRAM廠也在今年DRAM景氣回升中, 力求加強產業競爭力, 各公司策略布局分析如下:
 
在台系DRAM廠中,華邦正積極退出標準型DRAM生產, 加強NOR Flash、Mobile DRAM、GDDR(繪圖用記憶體)及SDRAM(利基型記憶體)等四項產品線,在NOR FLASH市場短缺下,華邦成功調整產品線,確保生產獲利率穩定並持續提升,同時華邦決定以奇夢達所開發的46nm為基礎,自主研發46nm,於2011年底量產。

在爾必達聯台抗韓策略下, 力晶、瑞晶與茂德與爾必達合作在未來更為密切,除加速製程轉進,為降低單項產品價格波動風險,力晶的產品線策略,採取標準型DRAM、代工與Flash三者並進的經營模式,並於今年底導入DRAM 45nm製程, 加上瑞晶產能貢獻三成,產出及營收可望持續成長。代工也繼續以每月三萬片至四萬片的投片與客戶合作並計畫明年將65nm製程導入代工生產,Flash方面明年則將有50nm製程1Gb SLC及40nm製程的MLC 16Gb產出。

瑞晶成為爾必達的子公司後,在母公司的策略規劃下將成為爾必達的生產標準型DRAM的重鎮,預計今年底可有六台浸潤式機台移入,並計劃於明年首季底全數轉入45nm製程。

茂德方面,目前中科廠已經恢復至滿載6萬片,今年底, 投片3萬片是幫爾必達代工63nm製程,加上未來爾必達考慮將低容量的Mobile DRAM委外交給茂德,以後茂德將有一半以上的產能以代工性質為主。
 


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