全球 DRAM 廠商加速新廠建置與資本支出，新產能將於後年起分階段釋放。隨著各大原廠無塵室與裝機推進，大規模產能預計於後續數年間陸續開出，推動產業結構性供給擴張，實際位元產出仍受建廠變數與產品驗證時程影響。
全球CSP資本支出強勁，帶動AI伺服器需求穩健成長，北美與中系業者同步擴大機櫃採購並加速自研晶片布局，NeoCloud模式漸成基礎設施成長重要動能。
DRAM市場合約價漲幅穩健，現貨交投低迷且小幅走揚。隨著供需吃緊，三大原廠規劃長期新廠擴產，透過既存廠區放量與新廠啟動，驅動未來數年產能與位元供給顯著成長，並將視市場需求動態調整產能，維繫產業健康運作。
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消費型記憶體供不應求，合約價維持上漲，惟漲幅受買方成本承受力限制而收斂，現貨市場則持續觀望。技術面聚焦軟體開源與zHBM垂直堆疊架構，以提升系統效能與能源效率。受雲端需求支撐，中短期合約價仍有支撐；惟業者加速擴產，長期產值與價格預期面臨下行壓力。
超大型CSP業者持續加碼資本支出，帶動AI伺服器出貨顯著擴張，鴻海、緯創、廣達等ODM廠積極承接輝達與超微機櫃訂單，晶片與液冷散熱技術同步升級，供應鏈成長動能延續至明後年。
DRAM部分應用合約價商談延至八月。現貨市場呈橫向整理，買賣雙方缺乏共識致成交有限。兩大韓廠公布Q2財報，CSP強勁需求持續帶動營運動能，且陸續完成LTA簽署。
隨終端庫存回補與需求轉弱，採購議價急迫性下降，3Q26 合約價的議定時程恐進一步延後。價格方面，Samsung因前季報價已處高點，本季漲幅明顯收斂；SK hynix與CXMT若以對齊價差為目標，漲勢則相對顯著。TrendForce預估整體漲幅將較上季收斂至「季增8-13%」。展望4Q26，在終端需求疲弱與庫存偏高的壓力下，漲幅預期進一步收斂；惟原廠產能持續向server與HBM傾斜的趨勢不變，將成為該季合約價維持不墜的重要支撐。
伺服器記憶體合約價持續看漲。因買方面臨供給缺口積極爭奪貨源，加上原廠庫存低迷及高頻寬記憶體排擠效應，支撐原廠議價優勢。高容量模組溢價隨著產能穩定與需求轉移而收斂。雖然短期庫存攀升，但隨處理器供應改善，長遠市場供不應求將更趨明顯。
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