TSMC、Samsung兩大廠降低八吋晶圓產能，將導致2026年全球八吋總產能年減幅度達2.4% AI帶動的Power相關IC需求成為支撐全年八吋產能利用率關鍵 晶圓廠有意調整代工價格5-20%不等，然終端前景不明、記憶體與先進製程漲價擠壓週邊IC成本等因素，可能收斂實際漲幅
根據TrendForce最新調查，NVIDIA於2025年第三季調整Rubin平台的HBM4規格，上修對Speed per Pin的要求至高於11Gbps，致使三大HBM供應商須修正設計。此外，AI熱潮刺激NVIDIA前一代Blackwell產品需求優於預期，Rubin平台量產時程順勢調整。兩項因素皆導致HBM4放量時間點延後，預期最快於2026年第一季底進入量產。
根據TrendForce最新研究，隨著國際主要NAND Flash製造商退出或減少MLC NAND Flash生產，並集中資本支出與研發資源在先進製程，預估2026年全球MLC NAND Flash產能將年減41.7%，供需失衡情況加劇。
預估1Q26一般型DRAM合約價季增55-60%，NAND Flash季增33-38% DRAM供需差距擴大，美系CSP鎖定貨源致使其他買家被迫接受高價，server DRAM價格估計季增逾60% 消費類、AI用NAND Flash需求兩極化，enterprise SSD將占最大占比，預估client SSD價格漲幅40%以上
根據TrendForce最新調查，近期因記憶體市況呈現供不應求，帶動一般型DRAM(conventional DRAM)價格急速攀升，儘管HBM3e受惠於GPU、ASIC訂單同步上修，價格也隨之走揚，預期未來一年HBM3e和DDR5的平均銷售價格(ASP)差距仍將明顯收斂。
