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DRAMeXchange:庫存回補需求自12月中提前回溫1月上旬主流 NAND Flash 合約價持續上漲約2-5%


18 January 2011 半導體

DRAMeXchange:庫存回補需求自12月中提前回溫1月上旬主流 NAND Flash 合約價持續上漲約2-5%

      Jan. 18th, 2011根據集邦科技(TrendForce)旗下研究機構DRAMeXchange調查,市場原先預期NAND Flash價格將在年終備貨高峰期過後開始回軟,但受到12上旬東芝跳電意外事件的影響,導致下游記憶卡客戶在預期1月份市場將發生供貨減少、年底前記憶卡客戶的庫存處於低水位的狀況下,12月中旬已提前準備中國農曆年前所需庫存。致使NAND Flash合約價在12月份出現明顯止跌反彈狀況,1月份部份供應商也接到智能手機及平板電腦等系統客戶的OEM 訂單,因此1月上旬NAND Flash的供貨呈現偏緊的狀況,1月上旬主流 MLC NAND Flash 合約價上漲2-5%。

      展望後市,因記憶卡客戶在年終假期的銷售狀況大致符合預期,若1月底前中國的嚴寒天氣未明顯影響地到供銷體系,預期客戶的庫存回補需求,在中國農曆年前將可望持續並使價格小幅上漲或持穩。中國農曆年過後,預期來自記憶卡客戶的採購需求將受到淡季效用影響而轉弱,故價格的支撐力將視系統客戶的OEM訂單在2月份後,能否彌補記憶卡及 UFD市場的淡季效應。

      我們預期2Q11除了部份系統客戶的OEM訂單仍將持穩外,更多系統客戶的高性能高容量移動裝置要到2H11才會正式上市,因此1Q11 NAND Flash市場將呈現淡季不淡的狀況,並使價格小幅反彈,但2Q11因傳統淡季型態仍將存在,價格將會下跌,下半年若先進國家經濟持續復甦,更多廠商的智能手機、平板電腦及可攜式PC新產品上市,即可望強化2H11的旺季備貨需求,進而帶動價格在3Q11止跌反彈。此外2011年多數供應商的產出成長策略,也將採取接近市場需求的成長率模式,希望能使2011年NAND Flash市場維持在供需平衡的狀況,以便降低價格下跌對獲利率的影響。此外,我們預期2011年價格受季節性因素的影響,將會比2010年來得明顯,2011年NAND Flash 價格走勢也因製程成本升級,而下跌約29% YoY,將會高於2010年15%YoY價格跌幅。
 


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