根據全球市場研究機構TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange在10月份發布“DRAM減產效應逐步發酵，標準型記憶體價格反彈有望”之後，全球11月DRAM合約價格已出現止穩訊號，每月1美元甚至逼近2美元的跌幅正逐步收斂當中，加上DDR3 4GB合約價格力守15美元，12月份合約價不排除僅小幅下跌甚至持平的價格走勢。
由於現貨市場的價格敏感度比合約市場更加敏銳，其中的氛圍變化往往是DRAM市場變化的先行指標，自本週開始現貨市場已有買氣升溫的態勢，DDR2 2Gb eTT及DDR2分別上漲1.24%及1.09%，一線模組大廠亦在10月份開始悄悄增加庫存水位，交易活絡下現貨買家亦有增加庫存水位的趨勢，營造價格反彈的契機。TrendForce認為，DRAM現貨價格起漲主要原因除了減產效應發酵之外，中國低價平板電腦MID「Mobile Internet Device」出貨暢旺也是驅動DRAM價格止跌起漲的重要因素。
其實從市場面來觀察，DRAM價格逐步回溫及明年市場可望回到供需平衡態勢皆有脈絡可循，首先今年下半年DRAM價格跌幅讓各DRAM廠都面臨逼近甚至跌破現金成本的困境，自八月開始爾必達與瑞晶率先啟動減產機制，力晶也從九月降低P3廠的標準型記憶體投片量，十月華亞科於法說會亦同時正式宣佈減產20%，故全球DRAM投片量從今年高點減少至今約100K，減少幅度約9%。
同時，產品比例的調整亦正積極進行當中，韓系廠商已降低標準型記憶體比例，並移往毛利較高的行動式記憶體與伺服器用記憶體，此舉將有助於標準型DRAM的價格反彈，如三星今年早已把標準型記憶體產出比重降至30%上下，明年目標更希望可以調整至20%以下，SK海力士亦不遑多讓，今年標準型記憶體產出占自身整體產出約50%，明年計畫持續下修至40%以下，美光與爾必達的整併案預定於明年第一季前通過，並於明年下半年正式開啟整併作業，產能勢必將有所調整，華亞科亦主攻伺服器用記憶體及行動式記憶體，標準型記憶體的產出規模也逐漸縮小當中，力晶則在年末將全面停止標準型記憶體投片，正式轉型100%代工業務。
明年DRAM市場年成長率將創下自2009年金融風暴後最低成長率，僅有19.8%，較今年的28.1%的年成長率已經大幅下修。TrendForce綜觀分析DRAM產業各項數據，減產效應正逐步發酵當中，加上年底中國低價平板電腦市場需求面佳，使得11月合約價格止穩亦帶動近期現貨市場新一波價格上漲走勢。由於產品比例調整讓標準型記憶體占明年總產出比重僅剩32%，預期明年第一季之後DRAM產業供需狀況可望正式回歸健康水準。
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