DRAMeXchange: 季底效應發酵2月下旬主流NAND Flash合約均價下跌5-10%

根據集邦科技（TrendForce）旗下的研究機構DRAMeXchange調查指出，因中國農曆年假期的銷售狀況，不如一些下游客戶原先的預期，故在農曆年長假過後，下游客戶的庫存回補意願普遍不高，部分記憶卡及UFD業者也敦促NAND Flash供應商，協助他們進行降價促銷活動來刺激淡季的市場需求，因此2月下旬NAND Flash晶片市場的買氣呈現低迷的狀況，而部分NAND Flash供應商在季底效應的影響下，也率先採取較積極的降價策略來提振下游客戶的採購意願，因此2月下旬主流NAND Flash合約均價下跌5-10%。

 

1H12影響NAND Flash 後市的三大因素:

1. 就總體經濟情勢而言，在國際間的協商及合作的努力下，近期歐洲主權債務風暴勢頭，以及部份影響全球經濟及金融市場的不穩定因素正漸趨舒緩中，市場預期全球經濟也將可望在2012下半年重回到復甦成長的道路，預期2012下半年NAND Flash在終端應用產品的旺季效應可望獲得改善。

2. 就供給面而言，雖然主要供應商多採取暫緩2012上半年的晶圓擴充計劃，這原本是用來因應總體經濟環境呈現保守的策略，但隨著主要NAND Flash供應商持續改善新的20nm級製程晶片良率，預期20nm級的產出比例在2012年第二季會逐漸提高。DRAMeXchange預期多數NAND Flash供應商會考量系統產品應用的性能及可靠度，將在2012下半年陸續推出20nm級的eMMC、mSATA、SSD產品，而且是低成本高容量規格。

3. 就需求面而言，2012上半年多數的NAND Flash終端應用需求，仍將受到全球經濟緩慢復甦及淡季效應的影響而呈現疲弱的表現，僅有某些熱門系統新產品的上市效應，將會為NAND Flash市場帶來些許春意，但2H12時會有更多廠商採用新世代的高性能微處理器/OS/無線通訊技術/高解析度影像功能的新系統組合，來陸續推出智慧型手機、平板電腦與Ultrabook新機種，屆時也將提高這些裝置採用20nm級NAND Flash嵌入式產品的比例。

DRAMeXchange綜合上述市場因素，預估1H12 NAND Flash市場仍將處於淡季供過於求的狀況，就短期而言，預期NAND Flash市場將主要受到1Q季底結帳效應，熱門產品上市預期心理及傳統淡季效應等多空因素交互影響而呈現緩跌的走勢。