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TrendForce:2022下半年將量產8吋基板,至2025年第三類功率半導體CAGR達48%


10 March 2022 半導體 曾冠瑋

目前最具發展潛力的材料即為具備高功率及高頻率特性的寬能隙(Wide Band Gap;WBG)半導體,包含碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN),主要應用大宗為電動車、快充市場。據TrendForce研究推估,第三類功率半導體產值將從2021年的9.8億美元,至2025年將成長至47.1億美元,年複合成長率達48%。

SiC適合高功率應用,如儲能、風電、太陽能、電動車、新能源車等對電池系統具高度要求的產業。其中,電動車備受市場關注,不過目前市售電動車所搭載的功率半導體多數為矽基材料(Si base),如Si IGBT、Si MOSFET,但由於電動車電池動力系統逐步往800V以上的高電壓發展,相較於Si,SiC在高壓的系統中有更好的性能體現,有望逐步替代部分Si base設計,大幅提高汽車性能並優化整車架構,預估SiC功率半導體至2025年可達33.9億美元。

GaN適合高頻率應用,包括通訊裝置,以及用於手機、平板、筆電的快充。相較於傳統快充,GaN快充擁有更大的功率密度,故充電速度更快,且體積更小便於攜帶,吸引不少OEM、ODM業者加入而開始高速發展,預估GaN功率半導體至2025年可達13.2億美元。

TrendForce特別提到,相較傳統Si base,第三類功率半導體基板製造難度較高且成本較為昂貴,目前在各大基板供應商的開發下,包括Wolfspeed、II-VI、Qromis等業者陸續擴增產能,並將在2022下半年量產8吋基板,預期第三類功率半導體未來幾年產值仍有成長的空間。

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本次第三類半導體研討會將於3月16日(三)於臺大醫院國際會議中心402室舉行,邀請到TrendForce旗下分析師曾冠瑋,以及工研院電光系統所、閎康科技、德州儀器、北方華創、Wolfspeed等業界代表針對第三類半導體提供相對清晰完整產業輪廓與未來趨勢描述,誠摯邀請媒體朋友們蒞臨指導! (※媒體朋友若欲參加請攜帶名片至現場報到台與公關聯繫,謝謝)

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