合約價受晶圓成本與積極拉貨推升，漲幅續強。現貨價在供給受限下創高。手機用NAND Flash因供需失衡帶動歐美與中系價差收斂，合約價大幅補漲，連同DRAM推升Android整體成本，壓縮中低階機種空間。
展望明年首季，受庫存偏低與供應商態度強勢影響，合約價預期將顯著上漲且具上修空間；現貨價亦維持高檔。長鑫存儲雖產能擴張放緩，但藉由製程升級與優化行動及伺服器產品組合，預期其全球市占與營收成長將大幅優於產...
缺貨效應導致NAND Flash合約與現貨價格飆漲，庫存告急引發市場恐慌性備貨。同時，長江存儲積極擴張產能並精進製程技術，更計畫啟動上市及跨足DRAM領域；其強勁的成長動能預期將顯著提升市占與營收，進而改變全球記憶...
PC DRAM 4Q25合約價大漲，受原廠供應偏緊及需求端庫存補充影響，DDR4與DDR5均價持續上升，並可能推升PC整機價格與壓抑銷量。
DRAM合約價續漲，供應商惜售，PC廠供貨受限。現貨交易萎縮，模組價看漲。各應用端庫存普遍下降，尤其中國雲端服務商、企業級伺服器廠及手機品牌廠，行動DRAM價格漲幅可觀。
NAND Flash市場因enterprise SSD需求激增，原廠產出增長有限，4Q25起供不應求。現貨市場價格飆升，原廠庫存快速去化。PC OEM、模組廠、Hyperscalers及Smartphone品牌廠庫存水位各有消長，反映不同市場動態。整體而言...
DRAM市場因雲端服務商與AI需求強勁，供給吃緊導致價格持續飆升，合約與現貨價皆顯著上揚。原廠庫存降至低點，正積極擴大資本支出並與客戶洽談長期供應，預計雙位數漲勢將延續。
AI驅動NAND Flash市場結構性轉變，企業級SSD需求強勁，推升合約與現貨價格。供應商掌握議價主導權，預期市場緊俏將持續，並加速次世代技術投資，以滿足高效能、高密度AI儲存需求。
DRAM合約價與現貨市場皆顯著上漲，供不應求態勢加劇。儘管未來資本支出增加，但因聚焦先進製程與高附加價值產品，傳統位元產出成長仍受限。
NAND Flash合約與現貨價格大幅上揚，市場供應極度吃緊。產業資本支出轉向混合鍵合與製程升級等先進技術，儘管部分廠商積極擴產，但整體位元產出成長預期有限。
受原廠供給緊俏及PC OEM策略性採購影響，2025年第四季PC DRAM合約價預估漲幅上修至25-30%，現貨價亦大幅上揚，顯示市場供需失衡。
NAND Flash市場因企業SSD需求強勁，供應商惜售並拉抬合約與現貨價，導致供需嚴重失衡，價格全面飆漲。此漲勢預計將持續至明年，上半年將面臨嚴重供不應求。
Micron 因產能策略調整，優先高毛利產品，壓縮標準 DRAM 供應，導致其報價大漲，SK hynix 則較溫和。現貨市場 因需求強勁、庫存惜售而價格上揚，供需持續緊張。
AI發展引導儲存從HDD轉向SSD，推升NAND Flash合約與現貨價格。QLC與TLC需求強勁，預計AI相關SSD將帶動市場結構性成長，NAND Flash將成為AI伺服器與雲端架構的核心。
合約市場DRAM價格預期大幅上漲，美光漲幅領先。現貨市場因看漲惜售，DDR4稀缺，DDR5同步走高。AI發展將從訓練階段的HBM需求，轉向代理人時代對CPU與傳統伺服器DRAM的爆發性需求，全面推升記憶體市場。
