美國期中選舉後，多個資料中心重點州將推動暫停或更嚴格監管，2028年後建設規劃遞延風險升高；大型雲端業者因布局分散、資本充足，應對能力較強。
TrendForce指出，PC與Smartphone需求疲弱，中國AI商業模式未成形致Server SSD拉貨保守；模組廠庫存高漲降價求售，NAND Flash現貨價急速走弱，需求僅剩北美CSPs支撐，短期仍缺乏止跌條件。
2026年HBM消耗量倍增，HBM4放量與供給緊俏推升2027年價格與營收大幅躍升，Samsung擴產搶攻龍頭，三大原廠競局重組。
伺服器DRAM合約價上揚，各容量RDIMM漲幅不一；現貨市場整體動能受限。SK hynix與Samsung財報顯示DRAM量價齊升、獲利擴大，HBM4放量且明年供給售罄，長約比重提高，DRAM訂價與供貨轉向長約導向。
CSP資本支出激增引發AI變現疑慮，消費端合約價談判膠著、現貨買氣疲弱；企業級SSD受AI需求支撐率先漲價。SK hynix與Samsung財報創高，看好Agentic AI驅動儲存需求，加速先進製程並擴大長約，預期供不應求延續。
TrendForce除針對主流DRAM市場提供產業分析以外，亦針對較利基的Consumer DRAM市場(主要為x16顆粒)提供各家供應商完整的產品規劃、產出數量、以及價格走勢分析。
2026年第四季全球伺服器市場動態與展望
CSP資本支出持續高檔，帶動AI伺服器出貨與產值強勁成長。輝達維持主導，Blackwell今年為主力、Rubin明年接棒；CSP自研ASIC與中國本土晶片加速崛起，液冷邁向主流，HBM4放量推升HBM價格與營收。
第四季Smartphone用Mobile DRAM合約價估持平至小漲、高檔盤整。品牌庫存達標、年底金流承壓，拉貨轉保守；SK hynix與CXMT補漲有望收斂與Samsung價差。消費需求轉弱致現貨鬆動，惟AI排擠產能，合約價仍高檔築底。
本月伺服器DRAM合約價商談持續上漲，原廠藉產品與客戶組合調整維持強勢議價。惟買方需求加速轉向中低容量模組，大容量模組溢價收斂，中國與北美市場冷熱分歧延續。消費性品牌下修採購，原廠轉產伺服器DRAM；新興CSPs...
PC DRAM第四季合約價持續上漲但漲幅收斂，商談氣氛僵持。需求端筆電出貨下滑、庫存墊高，二線OEM擴大貼牌機種並轉用降規顆粒，下修明年提貨；供給端原廠縮減PC DRAM並轉向伺服器，供不應求格局延續，後續報價仍具上...
本月消費型DRAM供給仍偏緊，但年底將近、記憶體成本高漲，買方觀望致需求放緩，合約價漲幅收斂至持平小漲。現貨價自高點明顯回落，與合約價走勢脫鉤，市場氛圍轉趨悲觀；惟原廠退出消費型供應計畫不變，合約市場缺貨...
在全球SSD終端價格表中, 集邦科技依照不同品牌、容量(從120GB 到 2048GB及以上)、使用介面( SATA3, PCIE 3.0，4.0，5.0)等項目區分產品別。
北美持續上修訂單，原廠產能調整不及，推升企業級SSD合約價本季續漲，中國客戶則抗拒漲價。展望明年，需求僅北美獨強，加上長江存儲搶市占，漲價阻力升高，高價恐壓抑後續拉貨；Agentic AI則帶動HDD重啟擴產。
本月NAND Flash利基型市場因產能持續向先進製程集中而走勢分化。SLC受車用、網通及低軌衛星剛性需求支撐續漲，高容量漲勢尤強；MLC則因報價過高且貨源稀缺，客戶加速轉向SLC或TLC，價格高檔持平，後市恐轉向下修。
