合約市場焦點轉向新季度，舊製程產品漲幅明顯。現貨市場成交主力為DDR4，價格暫有壓力但未現供過於求。庫存向買方傾斜，PC、模組廠積極備貨，部分產品供應吃緊，企業端則以去化庫存為主，智能手機端出現庫存分化。
NAND Flash合約價因企業SSD需求增強持續上漲，多數細分市場庫存去化明顯；但現貨市買氣疲軟，消費市場觀望，美中政策變數高。
今年第三季手機市場需求疲弱，品牌新品備貨保守，供應鏈出貨動能低迷。美中貿易協議及中東和平帶動消費信心回升，但關稅與經濟不確定因素仍影響市場。AI相關產品訂單成為主要成長動力，供應商持續管控產能與庫存謹慎...
LPDDR4X受原廠減產與EOL計劃影響，供應急縮，帶動價格飆漲。Smartphone品牌在供應及價格雙重壓力下加速轉向LPDDR5X，惟中低階機型因處理器限制轉換不易。
DRAM市場3Q25合約價展望上漲，DDR4供給緊張推動新世代轉進。Micron財報亮眼，高毛利產品帶動績效。HBM成長快速，DDR4逐步退場，公司將聚焦高附加價值產品，行業供給偏緊。
關稅政策變化、廠商減產與補貼弱化影響NAND Flash供需改善，合約價普漲、現貨市疲。Micron聚焦高附加價值產品，出貨量、市占提升，庫存天數下降，展望維持審慎樂觀，有利長期穩健經營。
全球經濟放緩與貿易政策不確定性導致供應商控管產能與庫存，市場競爭環境趨於激烈且保守。中國車用與電動車市場內捲，價格戰頻繁，供應鏈成本被壓縮，資金運作方式變得更為複雜
2025年第二季PC DRAM合約價持續上漲，供需變化使DDR4價格漲幅高於DDR5，原廠減供及市場提前備貨推升價格，3Q25 DDR4甚至超越DDR5。Nanya供應增加也帶動整體市價上揚。
DDR4停產消息引發搶貨潮，現貨及合約價大幅上漲，尤其DDR4 8/16Gb漲勢最劇。供需失衡持續，後續合約價仍看漲，消費性DRAM也供不應求。DDR3因供給仍高，價格較穩定。
聯電中國廠房以成熟製程為主，且未來無進一步擴產，受美國技術政策影響有限。2026年聯電聚焦新加坡廠擴產，全球產能小幅成長。世界先進則主力擴充新加坡十二吋新廠，帶動整體產能增長，超越產業平均水平。
3Q25記憶體市場因供給緊縮與旺季效應，舊規格如DDR4價格大漲，新品漲勢有限。NAND Flash上漲收斂，僅企業級產品動能強。供應商策略產能調整及各類需求疊加，推升整體記憶體價格高於預期。
DDR4因EOL效應推升價格與備貨需求，市場聚焦特定業者；DDR5受CSP回補訂單帶動小幅增量，整體價格持平。CSP平台推動下，AMD於Server市場滲透提升，高頻DRAM及新製程同步受惠，原廠獲益空間增加。
NAND Flash Wafer供應因原廠利潤導向產能分配趨緊，雖6月需求疲弱，但價格在供給限制下仍小幅上調，7月展望仍受市場動能及原廠調控影響，上漲空間有限。
AI市場主要由北美CSP及OEM客戶帶動成長，Blackwell平台新機種將擴大出貨。中國市場因地緣政治影響AI方案供應，面臨變數。整體AI伺服器出貨預期仍將維持雙位數成長。
地緣政治影響及舊品停產促使DRAM價格走強，DDR4需求熱度高於DDR5。Micron將於年底停產舊世代DRAM，市占與議價力提升。新技術與AI應用帶動HBM成長，供給持續緊張。
