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集邦:2008年NAND Flash位元成長率達到149% 3Q08仍將呈現供過於求

4 August 2008

2008年7月22日---根據集邦科技(DRAMeXchange),在次貸風暴延燒、通膨隱憂及大陸天災的影響下,閃存(NAND Flash)終端應用需求如手機、音樂播放器<span l

集邦:DRAM供需平衡仍是價格反彈的首要條件

4 August 2008

2008年7月30日---根據集邦科技(DRAMeXchange),上週現貨市場依然延續平穩的價格走勢,價格表現疲軟且交投相當低迷,DRAM價格依然呈現小幅漲跌互見的走勢。由市場面來觀察,整體的現貨市場的庫存水位依然處於高檔的狀況,縱使現在時近需求旺季,現貨顆粒仍未見強勁的需求,導致現貨與合約價格出現近20%的價差,呈現截然不同的市場狀況。集邦科技表示主要的原因可以由幾點分析;

集邦:DDR2 eTT 1Gb固守1.8美元關卡

22 July 2008

2008年7月15日---根據集邦科技(DRAMeXchange)統計,自7月1日至7月14日期間的現貨價,DDR2 eTT 512Mb從0.97美元下跌至0.91美元,跌幅約6.2%,而DDR2 eTT 1Gb也從1.95美元下跌至1.84美元,跌幅約5.6%。而品牌顆粒的部份,DDR2 667 512Mb與DDR2 667 1Gb的跌幅也約在2.9%與5.9%。從市場面來觀察,隨著整體經濟環境的不佳、中國大陸奧運舉辦在即嚴打走私進口與瑞晶持續增產等諸多因素影響下,整體現貨市場呈現價跌量縮的走勢。值得注意的是上週DDR2 eTT 512Mb與DDR2 eTT 1Gb一度出現0.83美元與1.78美元的低價,但隨即買盤進場接貨,縱使市場跌破1美元及2美元的信心關卡,想固守價格在0.9美元與1.8美元的防線依然不減。

集邦預估1Gb eTT指標顆粒在第三季將有10~20%上漲空間

22 July 2008

2008年7月2日---根據DRAMeXchange(集邦科技) 現貨市場處於淡季成交量低迷乃為正常狀況,然現貨價與合約價近期呈現反向走勢,實較為少見。此波現貨價格沒跟上合約價上漲,DDR2 eTT 1Gb現貨均價反自六月高點2.15下跌至6/30的1.97美元,跌幅約為8.4%。縱使合約價在六月呈現緩步墊高走勢,原廠在合約市場出現供給吃緊狀況,然現貨價自六月中旬卻逕自走跌,至上週才止跌回穩。

集邦:NAND Flash價格可望於八月後逐漸回穩

22 July 2008

2008年7月1日---根據DRAMeXchange(集邦科技)六月下旬NAND Flash平均合約價下跌約5-25%,分析師表示主要原因為目前已接近季底,NAND Flash供應商採取策略性降價促銷的行動,以降低庫存水位以及刺激近期較低迷的NAND Flash市場買氣,由於此次降價幅度較大,且伴隨7月中旬後 3G iPhone、smart phone與 Low-cost PC新機種陸續推出的激勵下,預期NAND Flash價格可望隨著傳統2H旺季的需求回溫而逐步回穩。3至6月份8Gb MLC NAND Flash 合約價格走勢


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