伺服器DRAM需求強勁且受HBM排擠，推升合約價。買方為優化成本轉向中低容量模組，高容量貨源轉向OEM，使原廠維持低庫存與議價優勢。高容量溢價逐步收斂，原廠則調漲短缺模組價格。業者下修HBM堆疊規格以擴大晶片出貨，長期有利改善位元供給。
消費性記憶體供需缺口持續，價格微幅上揚。受限於買方成本承擔能力，合約價漲幅收斂。供應商透過長約鎖定多數產能，加上企業級硬碟需求爆發排擠一般消費型應用，市場結構性緊縮態勢預計將延續至明後年。
記憶體成本攀升引發消費者提前購機，推動智慧型手機短期生產表現回溫，TrendForce因而調升全年產量預測。然而，此現象僅屬需求提前釋放而非實質復甦。隨著成本壓力持續傳導，終端售價上揚將使低價機種消失，未來市場恐面臨結構性衰退風險。
原廠拉升報價與終端出貨微幅回溫，帶動PC DRAM合約價持續走揚。考量未來產能排擠導致供給緊縮，系統廠積極提前備貨拉高庫存，並透過降規策略因應成本壓力。同時，供需失衡促使現貨行情居高不下，供應商亦啟動長期供貨協議以提升未來訂單能見度。
Smartphone用Mobile DRAM受合約價大幅上揚帶動，供應持續緊缺，整體市場營收顯著躍升，四大供應商主導格局穩固。展望3Q26，供緊格局延續但價格漲幅收斂，產值增速將同步放緩。
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全球 DRAM 廠商加速新廠建置與資本支出，新產能將於後年起分階段釋放。隨著各大原廠無塵室與裝機推進，大規模產能預計於後續數年間陸續開出，推動產業結構性供給擴張，實際位元產出仍受建廠變數與產品驗證時程影響。
全球CSP資本支出強勁，帶動AI伺服器需求穩健成長，北美與中系業者同步擴大機櫃採購並加速自研晶片布局，NeoCloud模式漸成基礎設施成長重要動能。
DRAM市場合約價漲幅穩健，現貨交投低迷且小幅走揚。隨著供需吃緊，三大原廠規劃長期新廠擴產，透過既存廠區放量與新廠啟動，驅動未來數年產能與位元供給顯著成長，並將視市場需求動態調整產能，維繫產業健康運作。
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