受原廠供給緊俏及PC OEM策略性採購影響，2025年第四季PC DRAM合約價預估漲幅上修至25-30%，現貨價亦大幅上揚，顯示市場供需失衡。
CSP需求與恐慌性備貨促使記憶體全產品報價飆升，市場轉為賣方。消費性記憶體因大廠退出及產能排擠，明年供給將更緊缺，合約價全年預期持續上揚。
AI伺服器領航成長，雲端擴建推升ODM與散熱鏈。雲商擴GB機櫃與自研晶片並進；AMD放量、Google TPU走強。液冷由L2A轉向L2L，Auras與Fositek加速擴產與整合，供應鏈從機櫃到冷卻系統全面升溫，市場動能延續。
供應鏈瓶頸與製程轉換壓縮供給，企業級SSD排擠效應加劇，eMMC與UFS在需求疲弱下仍上漲，賣方握有議價權，價格動能可望延續至明年下半年。
關稅與政策使早期需求保守，然雲端擴張與AI投資推升記憶體需求與報價，DRAM供應轉緊。DDR5漲勢確立、獲利有望超越HBM3e，供應商產能與價格策略將重塑市場格局。
Micron 因產能策略調整，優先高毛利產品，壓縮標準 DRAM 供應，導致其報價大漲，SK hynix 則較溫和。現貨市場 因需求強勁、庫存惜售而價格上揚，供需持續緊張。
全球AI伺服器市場持續成長，大型雲端供應商加速基礎設施佈建與平臺升級，NVIDIA與自研ASIC拉貨動能提升，區域因素與跨國佈局激勵新技術與策略調整。
合約市場DRAM價格預期大幅上漲，美光漲幅領先。現貨市場因看漲惜售，DDR4稀缺，DDR5同步走高。AI發展將從訓練階段的HBM需求，轉向代理人時代對CPU與傳統伺服器DRAM的爆發性需求，全面推升記憶體市場。
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集邦科技預測，2026年記憶體市場將因AI伺服器需求強勁與供應商利潤導向，而迎來結構性漲價。原廠產能向高毛利應用傾斜，排擠其他應用供給，導致DRAM及NAND Flash價格全面上揚，儘管消費端需求疲弱。
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