NAND Flash合約與現貨價格大幅上揚，市場供應極度吃緊。產業資本支出轉向混合鍵合與製程升級等先進技術，儘管部分廠商積極擴產，但整體位元產出成長預期有限。
4Q25 Mobile DRAM合約價因供需緊張與原廠競價而顯著上揚，尤以smartphone應用漲幅顯著。此上揚格局預計延續至2026年，近期DRAM價格上漲劇烈，恐導致終端產品面臨售價上調的壓力。
伺服器DRAM受CSPs持續追加需求驅動，原廠議價能力強化，4Q25價格漲幅預估上修至28-33%。CSPs為確保長期供應，已洽談2027年LTA，鼓勵原廠擴產，預期價格將持續走高。
受原廠供給緊俏及PC OEM策略性採購影響，2025年第四季PC DRAM合約價預估漲幅上修至25-30%，現貨價亦大幅上揚，顯示市場供需失衡。
CSP需求與恐慌性備貨促使記憶體全產品報價飆升，市場轉為賣方。消費性記憶體因大廠退出及產能排擠，明年供給將更緊缺，合約價全年預期持續上揚。
2025年10月NAND Flash Wafer合約價因AI與企業級SSD強勁需求驅動，加上原廠製程轉移及利潤導向，導致供應極度緊縮。市場呈現「有價無貨」現象，價格全面性顯著上漲，漲勢擴及高容量產品，預期將延續至11月，原廠持續...
十月SLC/MLC NAND Flash合約價格因原廠供給收縮與利基需求穩健，漲幅擴大，市場供需緊張加劇。展望未來，供給持續減少，需求維持高檔，預期價格將延續漲勢。
CXMT憑藉產能擴充、良率改善及政策推動，在LPDDR4X供應市場快速崛起，填補韓系、美系大廠轉向先進製程留下的供給空窗，重塑中低階smartphone Mobile DRAM的供應結構。該品牌同時投入新世代製程及產品的開發，但受美...
HDD缺貨與AI需求激增導致企業級SSD供不應求，供應商強勢拉抬4Q25合約價，預計平均漲幅將超過二成，且漲勢將延續至明年，CSP業者優先確保供應。
在HDD交期延誤下，雲端業者需求轉向企業級SSD，導致供應趨緊、價格走揚。AI PC與商業機種換機潮支撐需求保持穩健。
供應鏈瓶頸與製程轉換壓縮供給，企業級SSD排擠效應加劇，eMMC與UFS在需求疲弱下仍上漲，賣方握有議價權，價格動能可望延續至明年下半年。
關稅與政策使早期需求保守，然雲端擴張與AI投資推升記憶體需求與報價，DRAM供應轉緊。DDR5漲勢確立、獲利有望超越HBM3e，供應商產能與價格策略將重塑市場格局。
NAND Flash市場因企業SSD需求強勁，供應商惜售並拉抬合約與現貨價，導致供需嚴重失衡，價格全面飆漲。此漲勢預計將持續至明年，上半年將面臨嚴重供不應求。
Micron 因產能策略調整，優先高毛利產品，壓縮標準 DRAM 供應，導致其報價大漲，SK hynix 則較溫和。現貨市場 因需求強勁、庫存惜售而價格上揚，供需持續緊張。
2025年全球第6-10名手機品牌為Transsion、Honor、Lenovo、Huawei與Google。其中Transsion因銷售市場競爭加劇及記憶體供應短缺而略有下修；Honor亦受記憶體供應短缺干擾，導致海外銷售略有下滑。記憶體方面，Samsung...
