2Q26 smartphone Mobile DRAM 合約價延續強勢，其中Samsung、Micron率先報價，SK hynix及CXMT則僅提供臨時價格，預估5月完成議價。1H26以降，連續兩季度的高額漲幅使品牌端成本壓力難以消化，不僅2026年smartphone產...
伺服器記憶體因供不應求且原廠庫存觸底，賦予原廠絕對定價優勢，帶動合約價持續大幅上修。儘管原廠將手機產能轉移至伺服器以擴大供給，但受惠於雲端業者持續擴張AI與資料中心資本支出，強勁需求使供給缺口依然龐大，...
PC DRAM本季合約價續漲但動能已較前期收斂。因高昂成本衝擊終端電腦換機需求，出貨展望遭下修。供應商提早報價且不再輪番喊漲，使商談氣氛降溫並脫離極端賣方市場。現貨端因庫存充足轉趨盤整，長約則顯示未來價格將...
大廠退出成熟製程使利基型記憶體供給收斂，產能排擠推升合約價，漲勢輪動至中容量產品，市場由賣方主導。受限產能，台廠策略分化：部分轉向固態硬碟客戶並推進主流規格，部分則固守舊世代產品。
近期NAND Flash晶圓合約價漲勢顯著收斂。因成本高企且終端消費疲軟，模組廠採購轉趨消極，呈現價高量縮。主流與大容量品項漲幅放緩，僅傳統低容量因供給極缺維持強漲。遇傳統淡季若需求未復甦，價格恐面臨橫盤整理，...
受AI邊緣運算需求爆發與原廠成熟製程減產雙重發酵影響，本月NAND Flash市場迎來價格狂飆。SLC因供給告急引發恐慌性備貨，呈現罕見劇烈漲幅；MLC亦在庫存枯竭下維持強勁上漲。短期內供給失衡難解，報價預期將持續攻堅...
伺服器需求推動2Q26 RDIMM合約價上修，現貨市場則持續疲弱。SK hynix獲利激增並推進新產品量產。在低庫存與產能瓶頸市況下，RDIMM價格反超HBM，然SK hynix不求短期獲利，仍追求HBM與conventional DRAM的長線平衡發展...
受AI伺服器強勁需求帶動，企業級儲存產品獲利豐厚，原廠積極擴展先進製程。然而，終端高成本導致消費市場需求疲軟，合約價談判陷入僵持；現貨市場則因庫存拋售面臨買氣低迷與價格下修。
受人工智慧熱潮帶動企業級儲存需求爆發影響，原廠產能嚴重傾斜，導致消費性記憶體面臨極度缺貨，合約價呈現翻倍飆升。然終端消費疲軟且買方成本壓力已達極限，預估下一季在買氣受挫下，價格漲幅將大幅收斂。
受AI與企業級需求爆發影響，原廠產能嚴重排擠消費級固態硬碟，導致供給出現結構性短缺。儘管終端買氣因成本轉嫁而疲軟，供應商仍強勢主導合約價大幅飆漲。展望未來，高昂成本已達買方承受極限，預期後續漲幅將因需求...
受AI與通用伺服器需求共同驅動，企業級SSD陷入嚴重供需缺口，帶動合約價持續大漲。同時，為解決AI推論高成本痛點，原廠加速推出低延遲高效能SSD，促使儲存架構轉型並開創高毛利藍海。
記憶體合約價漲勢收斂，原廠藉長約與預付機制保獲利。現貨因需求疲弱與成本控管而量縮。具TCO優勢的CXL技術正加速商用，未來將與傳統伺服器記憶體互補，成為基建常態。
受AI需求支撐合約市場持穩，現貨市場則呈買賣僵持。因原廠擴產保守，NAND產能擴張緩慢。伴隨AI推論帶動儲存需求爆發，中短期內市場將陷結構性緊縮，價格具強勁支撐。需待遠期新產能到位供需方能緩解，建議買方提前佈...
NAND Flash供應商庫存降至歷史低位，原廠議價權達近幾季高點，2Q26合約價預期大幅上漲，AI server需求持續支撐，各端買方紛紛積極備貨應對供給緊縮。
DRAM市場供應持續吃緊，各應用端庫存普遍偏低，合約價於2Q26展開補漲，mobile DRAM漲幅最為顯著，CSPs與PC通路積極回補備貨，下半年供給恐進一步收緊。
