8月下旬，DRAM合約價持續上漲，各產品漲幅不同，現貨市場動能趨緩。供應商庫存下降，模組廠及終端廠商存貨依應用各異，未來幾季市場將以DDR4表現較佳，總體呈現分歧調整態勢。
DRAM 3Q25合約價格已於8月完成，DDR5雖然漲幅較低，但出貨量持續增長。現貨市場冷清，DDR4受Samsung可能延遲EOL影響。TrendForce更新CXMT發展，未來兩年重點在產能擴張、高價值產品及技術進步。
合約市場談判以三星壓力較大，現貨因供應緊張未跌；三星法說會聚焦HBM3e供過於求，價格或下滑，雖然成熟DRAM將漲價，三星仍優先投資先進製程與HBM，策略未因市況變動而改變。
DDR4市場持續供需失衡，特別是consumer DRAM訂單滿足率低迷，價格大幅上漲，買方雖有策略調整，但短期內漲勢不減，惟隨成本壓力及產品轉型，預期未來漲幅將收斂。
合約價格尚未塵埃落定，DDR4/LPDDR4x漲勢明顯；現貨DDR4交易高於DDR5，DDR5價格下修。SK hynix出貨佳受AI及關稅助益，DDR4動能推庫存下降。HBM市場競爭加劇，新一代產品及定價動態將影響未來價格走勢與供需。
近期DRAM合約價議定膠著，DDR5漲幅趨緩，DDR4現貨止穩。展望未來年度，供給與需求增長將顯著放緩，終端需求減弱，加上庫存水位墊高，預期上半年合約價將面臨下跌壓力。
合約市場漲價趨緩，現貨價格漲幅有限，部分產品價格微幅下跌。供應商減少LPDDR4X供給，中低階手機需求強勁並有恐慌性備貨。雖然部分減產將放緩，整體市場終將轉向新世代產品。
合約市場焦點轉向新季度，舊製程產品漲幅明顯。現貨市場成交主力為DDR4，價格暫有壓力但未現供過於求。庫存向買方傾斜，PC、模組廠積極備貨，部分產品供應吃緊，企業端則以去化庫存為主，智能手機端出現庫存分化。
DRAM市場3Q25合約價展望上漲，DDR4供給緊張推動新世代轉進。Micron財報亮眼，高毛利產品帶動績效。HBM成長快速，DDR4逐步退場，公司將聚焦高附加價值產品，行業供給偏緊。
2025年第二季PC DRAM合約價持續上漲，供需變化使DDR4價格漲幅高於DDR5，原廠減供及市場提前備貨推升價格，3Q25 DDR4甚至超越DDR5。Nanya供應增加也帶動整體市價上揚。
DDR4停產消息引發搶貨潮，現貨及合約價大幅上漲，尤其DDR4 8/16Gb漲勢最劇。供需失衡持續，後續合約價仍看漲，消費性DRAM也供不應求。DDR3因供給仍高，價格較穩定。
3Q25記憶體市場因供給緊縮與旺季效應，舊規格如DDR4價格大漲，新品漲勢有限。NAND Flash上漲收斂，僅企業級產品動能強。供應商策略產能調整及各類需求疊加，推升整體記憶體價格高於預期。
DDR4因EOL效應推升價格與備貨需求，市場聚焦特定業者；DDR5受CSP回補訂單帶動小幅增量，整體價格持平。CSP平台推動下，AMD於Server市場滲透提升，高頻DRAM及新製程同步受惠，原廠獲益空間增加。
地緣政治影響及舊品停產促使DRAM價格走強，DDR4需求熱度高於DDR5。Micron將於年底停產舊世代DRAM，市占與議價力提升。新技術與AI應用帶動HBM成長，供給持續緊張。
本報告分析DRAM市場，預計合約市場DDR5漲幅受限，DDR4現貨需求仍旺盛，受支撐美國大廠協議影響。NVIDIA動態成為焦點，供應鏈及產品預估調整，RTX PRO 6000D實際出貨與當前市場預期恐存在差距。
