NAND Flash合約價穩，現貨需求疲弱。供應商庫存健康，PC和智慧型手機品牌維持低庫存，資料中心需求穩定。模組廠庫存維持不變，雲端大廠增加備貨因AI需求提升。
3Q25 enterprise SSD需求強勁，支撐NAND Flash產能，smartphone與PC市場平淡。現貨市場受消費需求疲弱影響交易量縮減。YMTC透過提升良率與產能擴展，產出市佔率上升，技術進步顯著，專注國產化設備與高毛利產品。
DRAM 3Q25合約價格已於8月完成，DDR5雖然漲幅較低，但出貨量持續增長。現貨市場冷清，DDR4受Samsung可能延遲EOL影響。TrendForce更新CXMT發展，未來兩年重點在產能擴張、高價值產品及技術進步。
三星本季加速高價值NAND Flash技術推進，把握AI與數據中心需求回升，企業級SSD成長顯著，帶動庫存去化。然受經濟及終端需求轉弱，預期NAND Flash市場整體復甦動能仍有限。
合約市場談判以三星壓力較大，現貨因供應緊張未跌；三星法說會聚焦HBM3e供過於求，價格或下滑，雖然成熟DRAM將漲價，三星仍優先投資先進製程與HBM，策略未因市況變動而改變。
PC DRAM第三季合約價普遍上漲，DDR4漲幅明顯超越DDR5，市場供給緊張，DDR4成價漲量縮，Nanya積極調升製程產能推升價格，價格呈現高檔盤整。
合約價格尚未塵埃落定，DDR4/LPDDR4x漲勢明顯；現貨DDR4交易高於DDR5，DDR5價格下修。SK hynix出貨佳受AI及關稅助益，DDR4動能推庫存下降。HBM市場競爭加劇，新一代產品及定價動態將影響未來價格走勢與供需。
美國關稅新政影響市場預期，終端需求趨緩，3Q25合約價協商延宕。SK hynix 2Q25業績創新高，因AI與enterprise SSD帶動記憶體出貨成長，但NAND Flash價格壓力仍在。2H25庫存與需求預期趨於穩定，價格回升空間有限。
3Q25合約市場僵持，現貨需求疲軟。展望2026年NAND Flash，供給成長趨緩，需求受關稅與經濟不確定性影響更顯保守，預期價格壓力將持續累積。
近期DRAM合約價議定膠著，DDR5漲幅趨緩，DDR4現貨止穩。展望未來年度，供給與需求增長將顯著放緩，終端需求減弱，加上庫存水位墊高，預期上半年合約價將面臨下跌壓力。
合約市場漲價趨緩，現貨價格漲幅有限，部分產品價格微幅下跌。供應商減少LPDDR4X供給，中低階手機需求強勁並有恐慌性備貨。雖然部分減產將放緩，整體市場終將轉向新世代產品。
美國加徵關稅提升產業不確定，記憶體合約議價轉保守。NAND Flash現貨價格受制需求疲弱與供應競爭壓力，手機市場價格上漲困難，預料除非突發拉貨潮或供應收斂，否則價格難以上升。
合約市場焦點轉向新季度，舊製程產品漲幅明顯。現貨市場成交主力為DDR4，價格暫有壓力但未現供過於求。庫存向買方傾斜，PC、模組廠積極備貨，部分產品供應吃緊，企業端則以去化庫存為主，智能手機端出現庫存分化。
NAND Flash合約價因企業SSD需求增強持續上漲，多數細分市場庫存去化明顯；但現貨市買氣疲軟，消費市場觀望，美中政策變數高。
DRAM市場3Q25合約價展望上漲，DDR4供給緊張推動新世代轉進。Micron財報亮眼，高毛利產品帶動績效。HBM成長快速，DDR4逐步退場，公司將聚焦高附加價值產品，行業供給偏緊。
