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集邦:DDR2 1Gb eTT現貨價格跌破0.81美元,創歷史新低價

26 November 2008

2008年11月25日-- 集邦科技(DRAMeXchange)表示,上週(11/18-11/24)DDR2 1Gb eTT的顆粒價格從0.87美元下滑至0.81美元,跌幅達6.9%,從第四季開始僅僅二個月間跌幅高達33.6%,DDR2 667 MHz 1Gb顆粒價格也不遑多讓,價格從0.86美元下滑至0.77美元,跌幅約10.5%,截至目前為止的第四季跌幅更高達36.8%,創下DDR2顆粒價格歷史新低價。以往在現貨市場中原廠顆粒因為經過嚴謹測試的關係,原廠顆粒價格大都高於eTT顆粒價格,但現今原廠顆粒價格皆低於eTT顆粒價格,顯見DRAM原廠的庫存壓力極大與市場供過於求的情形仍未有效紓解。

集邦:DRAM產出量縮,嚴重擠壓封測廠的封裝與測試產能的利用率

19 November 2008

2008年11月19日-- 集邦科技(DRAMeXchange)表示,隨著DRAM產業的嚴重供過於求與全球經濟的持續惡化下,2008年的DDR2 1Gb eTT顆粒價格就從年初的1.76美元下滑至目前的0.92美元,跌幅達48%,DDR2 667 1Gb顆粒跌幅更高達53%,此外DRAM產業經過了長達近二年的虧損甚至近期顆粒價格跌破變動成本後,DRAM廠面臨到現金流出與手上現金嚴重不足的危及存亡之秋,自今年九月開始,DRAM廠如力晶、爾必達 (Elpida)、海力士 (Hynix)、茂德與華亞等紛紛宣佈減產,減產達13%,再次反映出DRAM市場環境的惡劣。

集邦:DRAM產業進入 "減產或退出”的關鍵調整期

18 November 2008

2008年11月12日-- 集邦科技(DRAMeXchange)認為DRAM產業進入以 "減產或退出”的關鍵調整期。大規模減產正開始進行中,甚至有DRAM廠商將於2009年退出DRAM市場。DRAM產業這波調整將持續進行,直至產業回復供需平衡。

集邦:第三季全球NAND Flash品牌廠商整體營收下跌11.1%,三星穩坐龍頭

4 November 2008

 第三季NAND Flash品牌廠商營收排行來看,三星(Samsung)營收為11億3千8百萬美元,市佔率為41.1%,蟬聯第一;東芝(Toshiba)營收為7億9千9百萬美元,以市佔率28.9%排名第二;海力士(Hynix)名列第三,營收為3億9千7百萬美元,市佔率14.4%;美光(Micron)與英特爾(Intel)營收則分居四、五名,市佔率為7.8%與5.6%。

集邦:南亞與華亞加入減產,全球DRAM產能減少約13%

4 November 2008

2008年10月29日-- 九月以來,力晶、爾必達(Elipda)、海力士(Hynix)與茂德紛紛宣佈減產,日前南亞科與華亞也於法說會正式宣佈加入減產的行列,南亞科方面,除了與美光合作的亞美與Fab3 Phase2擴廠計畫暫緩外,原有的Fab3 Phase1也因應轉換至美光(Micron)堆疊製程的關係,到明年第一季投片量也將從3萬減少至1萬5仟片,而華亞方面也從十月開始減產20%,產能從原有13萬 片修正至10萬4仟片。加上之前所減產的部份,集邦科技估計所減少的產能佔全球產能的12-13%左右。


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