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重點摘要

• 整體市場趨勢：
  • DRAM市場因雲端服務供應商伺服器擴張與AI伺服器需求延續，自明年第四季起出現供應缺口，預計將延續至後年。
  • 供應商正評估擴產必要性，後年DRAM資本支出初步預估將顯著提升。
  • 第四季DRAM價格漲幅預期將顯著，其中美光因現有產能相對較小，漲幅最為明顯。
• 供給面：
  • 明年DRAM位元供給年成長維持穩定，美中貿易關係雖緊張，但短期對DRAM產出無顯著影響，長期仍待協商結果。
  • 後年DRAM位元供給年成長維持既有水平，但供應缺口促使廠商考慮擴產。
• 需求面：
  • 明年DRAM需求位元年增長上修，後年亦有上修，主要受北美雲端服務供應商資本支出上修及高容量RDIMM滲透率提升帶動。
  • 伺服器：明年與後年出貨量年增幅均上修，受地緣政治與AI相關建置投入增加影響。
  • 智慧手機：明年產量小幅上修，後年大致持平，展望保守。
  • 筆記型電腦：明年出貨下修，後年則上修，但面臨渠道庫存高與記憶體成本上升的獲利壓力。
• 主要供應商策略：
  • 三星：重心轉向先進製程精進，支援HBM高階產品生產。
  • SK海力士：放緩部分製程轉進以滿足DDR產品需求，HBM高階產品良率提升釋出常規DRAM產能。
  • 美光：在有限空間下，透過優化產線提高主流製程產出。
  • 南亞科：受惠DDR產品轉單需求，積極擴增DDR產品產能，並逐步提高投片規模。
  • 華邦：新廠下半年將推出新製程產品，首批為DDR產品特定容量，後年將逐步放量，投片比重逐季增加，同時舊製程投片將下修，整體投片維持既有水平。
  • 力積電：Foundry客戶投片有升溫趨勢，總DRAM投片有所增加。下一代新製程仍在開發中，尚無明確量產時程，明年在無新製程之下，客戶也難以往高容量產品邁進，投產規模預期成長有限，投片將維持現有水平。
  • 長鑫存儲：DDR高階產品出貨不如預期且良率待改善，策略重心轉向先進產品開發與自研HBM，並以製程轉進提高位元產出。
  • 晉華集成：國產供應鏈支持下，積極擴產DDR產品特定容量產品並小量投產新製程。

目錄

1. Index
2. DRAM Market Forecast
3. DRAM Makers' Revenue
4. DRAM Makers Quarterly Revenue Ranking
5. DRAM Operating Margin By Each Vendors
6. DRAM Makers' Capex
7. DRAM Worldwide 12" Quarterly Wafer Starts
8. DRAM Makers' Fab Capacity breakdown by Brand
9. DRAM Makers' Fab Capacity breakdown by Fab
10. DRAM Worldwide Monthly Production Summary
11. DRAM Worldwide Monthly Production breakdown by Type
12. DRAM Worldwide Monthly Production breakdown by Region
13. DRAM Worldwide Process Ratio by quarter
14. Technology breakdown by Company
15. DRAM Makers' Quarterly Production Output breakdown by Density
16. Worldwide Monthly Desktop shipment
17. Worldwide Monthly Notebook shipment
18. Worldwide Monthly PC shipment
19. Worldwide Quarterly Server & Workstation Shipment
20. Worldwide Quarterly Graphics Shipment
21. Worldwide Quarterly Handset Production Volume
22. DRAM Content Per Box in DT, NB
23. DRAM Supply v.s. Demand Sufficiency
24. DRAM Spot and Contract Prices Forecast by Month
25. Worldwide DRAM Production Forecast
26. DRAM Cost Structure Update
27. DRAM Supply and Demand Model

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