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DRAM 新廠投資爆發：解析 2027-2030 年產能藍圖
發佈日期
2026-08-26
更新頻率
不定期
報告格式
全球 DRAM 廠商加速新廠建置與資本支出，新產能將於後年起分階段釋放。隨著各大原廠無塵室與裝機推進，大規模產能預計於後續數年間陸續開出，推動產業結構性供給擴張，實際位元產出仍受建廠變數與產品驗證時程影響。
重點摘要
- 資本支出大幅增加：DRAM 產業供給持續緊俏，全球主要供應商大幅調升資本支出，加速建廠與設備導入。
- 分階段產能釋放：
- 第一階段：各大原廠新廠陸續裝機投產，新增供給將於後年開始挹注市場。
- 第二階段：多家供應商之次世代廠區與擴建項目將於後續數年進一步放大投片規模。
- 長期規劃：各國大型專案與新園區規劃將於十年末陸續貢獻產出。
- 結構性供給擴張：產業供給將隨新廠運作逐步增加，並於十年末前迎來規模擴張。
- 產出不確定因素：建廠時程、無塵室啟用、設備取得、產品驗證及良率等變數，均影響最終實際位元產出。
目錄
- 全球DRAM新廠擴產進入密集投資期，新增供給將自2027年分階段釋放
- Distribution of DRAM Wafer Starts by Supplier
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報告分類: DRAM
