TrendForce顯示AI應用促使Server對DRAM需求增加，導致產能緊張。三星、SK hynix與美光計劃擴大DRAM生產以應對未來幾年需求，預期2026年DRAM市場仍供不應求。
3Q25 DRAM市場價量齊揚，雲端服務商積極採購及高頻寬記憶體擴張為主要動能。原廠庫存水位低，預期4Q25合約價將大幅加速上漲，各廠利潤率顯著提升。
企業級SSD市場在第三季因AI推論與伺服器布建而強勁復甦，價量齊揚。供應商謹慎擴產，加上超大容量產品需求爆發，導致第四季供不應求，預計價格將大幅上漲，市場轉為搶料。
第三季NAND Flash產業受惠於人工智慧伺服器帶動的企業級固態硬碟強勁需求，營收成長。各原廠因減產奏效及企業級固態硬碟佔比提高，平均售價上漲。展望第四季，人工智慧應用及傳統硬碟短缺將持續推升價格，各領域產品...
AI與資料中心帶動先進記憶體需求高漲，產能瓶頸推升以晶圓為定價錨；HBM仍緊俏但議價分化，原廠在DDR5與HBM間動態調配，追加需求不排除轉向漲價。
4Q25 smartphone用mobile DRAM預估要到11月中旬後才得以全面議定；NAND Flash報價相對明朗。受到產能吃緊影響，mobile DRAM在不同應用領域的價差正在收斂。展望後勢，整體記憶體結構性短缺恐延續至2026年底。
NAND Flash合約與現貨價格大幅上揚，市場供應極度吃緊。產業資本支出轉向混合鍵合與製程升級等先進技術，儘管部分廠商積極擴產，但整體位元產出成長預期有限。
4Q25 Mobile DRAM合約價因供需緊張與原廠競價而顯著上揚，尤以smartphone應用漲幅顯著。此上揚格局預計延續至2026年，近期DRAM價格上漲劇烈，恐導致終端產品面臨售價上調的壓力。
受原廠供給緊俏及PC OEM策略性採購影響，2025年第四季PC DRAM合約價預估漲幅上修至25-30%，現貨價亦大幅上揚，顯示市場供需失衡。
報告指出三大廠積極擴充HBM產能，2025年出貨持續上修，SK hynix領先擴產至150K，Micron台灣廠區同步增能，2026年將全面啟動HBM4量產，Samsung重返供應、出貨增幅居首。
Micron 因產能策略調整，優先高毛利產品，壓縮標準 DRAM 供應，導致其報價大漲，SK hynix 則較溫和。現貨市場 因需求強勁、庫存惜售而價格上揚，供需持續緊張。
2025年全球第6-10名手機品牌為Transsion、Honor、Lenovo、Huawei與Google。其中Transsion因銷售市場競爭加劇及記憶體供應短缺而略有下修；Honor亦受記憶體供應短缺干擾，導致海外銷售略有下滑。記憶體方面，Samsung...
合約市場DRAM價格預期大幅上漲，美光漲幅領先。現貨市場因看漲惜售，DDR4稀缺，DDR5同步走高。AI發展將從訓練階段的HBM需求，轉向代理人時代對CPU與傳統伺服器DRAM的爆發性需求，全面推升記憶體市場。
NAND Flash市場受惠企業級SSD與AI需求，合約及現貨價齊揚，轉為賣方市場。美光憑藉QLC技術與資料中心SSD策略，成功轉型並預期營收與毛利將持續成長，鞏固其市場競爭力。
DRAM市場強勁，合約與現貨價格大幅上揚，賣方主導態勢確立。美光受惠於AI與伺服器需求，季度營收及毛利率創高，展望優於預期。其HBM業務進展迅速，技術與市占領先，鞏固市場地位。預期DRAM供給持續緊縮，價格將持續...
