研究報告

HBM市場快訊 - 2025年11月17日

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發佈日期

2025-11-17

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AI與資料中心帶動先進記憶體需求高漲,產能瓶頸推升以晶圓為定價錨;HBM仍緊俏但議價分化,原廠在DDR5與HBM間動態調配,追加需求不排除轉向漲價。

重點摘要

  • 兩大供應商擴張先進封裝與後段產線,啟用既有廠房並佈局新據點。
  • 產能瓶頸下,定價轉以晶圓為主軸,單位容量指標影響力下降。
  • HBM受大晶粒與良率挑戰,供給持續吃緊;買方追加需求可能面臨調漲。
  • 資料中心帶動DDR5與行動產品需求,部分原廠傾向優先分配至傳統產品。
  • 先前超額備貨逐步去化,成熟產品承壓,新世代品項處於建庫期。

目錄

  1. 前言
  2. Samsung市占率預計回升,SK hynix及Micron持續穩步擴充產能
  3. 產能緊張下,晶圓產值為原廠產品定價錨點
    • ASP per wafer of HBM and DDR5
  4. HBM供給持續緊張,不排除出現價格上修
    • HBM Balance between Shipment, Consumption and Safety Purchase

<報告頁數:3>

ASP per wafer of HBM and DDR5





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