第三季手機和AI需求推動主力MLCC廠表現穩健；中低容產品需求平穩但壓力存在，車用領域受競爭影響價格下行風險持續。
AI需求與HDD供應瓶頸，致企業級SSD急單湧現。供應商大幅調漲2025年第四季合約價，且供不應求態勢將延續，全年價格仍有上漲空間。AI正重塑儲存市場，促使CSP業者加速驗證大容量SSD。
記憶體進入強勁上行期，帶動整機BOM cost明顯攀升。為維持基本獲利，品牌調整高中低階產品結構並分層上調終端售價。記憶體翻漲疊加宏觀經濟疲弱，雙重逆風將壓抑2026年消費型終端的生產出貨動能。
TrendForce集邦科技鋰電研究處對中國市場鋰離子電池產業鏈主要產品價格走勢進行追踪，覆蓋鋰、鈷、鎳、正/負極材料、隔膜、電解液、銅箔/鋁箔、電池芯等關鍵產品
4Q25 smartphone用mobile DRAM預估要到11月中旬後才得以全面議定；NAND Flash報價相對明朗。受到產能吃緊影響，mobile DRAM在不同應用領域的價差正在收斂。展望後勢，整體記憶體結構性短缺恐延續至2026年底。
4Q25 Mobile DRAM合約價因供需緊張與原廠競價而顯著上揚，尤以smartphone應用漲幅顯著。此上揚格局預計延續至2026年，近期DRAM價格上漲劇烈，恐導致終端產品面臨售價上調的壓力。
伺服器DRAM受CSPs持續追加需求驅動，原廠議價能力強化，4Q25價格漲幅預估上修至28-33%。CSPs為確保長期供應，已洽談2027年LTA，鼓勵原廠擴產，預期價格將持續走高。
受原廠供給緊俏及PC OEM策略性採購影響，2025年第四季PC DRAM合約價預估漲幅上修至25-30%，現貨價亦大幅上揚，顯示市場供需失衡。
CSP需求與恐慌性備貨促使記憶體全產品報價飆升，市場轉為賣方。消費性記憶體因大廠退出及產能排擠，明年供給將更緊缺，合約價全年預期持續上揚。
2025年10月NAND Flash Wafer合約價因AI與企業級SSD強勁需求驅動，加上原廠製程轉移及利潤導向，導致供應極度緊縮。市場呈現「有價無貨」現象，價格全面性顯著上漲，漲勢擴及高容量產品，預期將延續至11月，原廠持續...
十月SLC/MLC NAND Flash合約價格因原廠供給收縮與利基需求穩健，漲幅擴大，市場供需緊張加劇。展望未來，供給持續減少，需求維持高檔，預期價格將延續漲勢。
旺季需求不如預期，ODMs備貨保守，供應鏈庫存緊縮。美國政府停擺加劇經濟數據真空，消費信心與節慶買氣低迷。中美消費電子訂單下滑，僅AI伺服器與高階MLCC需求穩健。消費規MLCC價格已觸材料成本底線，供應商轉向降本...
CXMT憑藉產能擴充、良率改善及政策推動，在LPDDR4X供應市場快速崛起，填補韓系、美系大廠轉向先進製程留下的供給空窗，重塑中低階smartphone Mobile DRAM的供應結構。該品牌同時投入新世代製程及產品的開發，但受美...
HDD缺貨與AI需求激增導致企業級SSD供不應求，供應商強勢拉抬4Q25合約價，預計平均漲幅將超過二成，且漲勢將延續至明年，CSP業者優先確保供應。
供應鏈瓶頸與製程轉換壓縮供給，企業級SSD排擠效應加劇，eMMC與UFS在需求疲弱下仍上漲，賣方握有議價權，價格動能可望延續至明年下半年。
