本季PC DRAM合約價飆升，漲幅較前期顯著擴大。雖筆電全年出貨預估遭下修，但整機漲價預期推升短期通路需求，導致品牌廠庫存下滑並轉向模組廠搶貨。原廠報價一致走高，且優先供貨給品牌廠，導致對模組廠供給受限，推...
DRAM市場呈現供不應求，原廠庫存低且議價權強勢，帶動合約價上揚，尤以PC與伺服器端顯著。現貨漲勢因與合約價差大而趨緩。買方為保貨源多願接受漲價，惟模組廠獲利恐遭壓縮；僅手機端庫存相對穩健，整體市場為賣方主...
受AI及企業級需求驅動，NAND Flash確立賣方市場。原廠優先配置高毛利產能，致使各端庫存水位普遍下滑。合約價預期上調，買方議價困難；現貨市場雖因節前交易轉淡，但惜售心態濃厚。整體供應鏈面臨緊縮，轉向保守配貨...
1Q26合約價議定遞延，現貨價高檔持穩。主要大廠財報顯示價量齊揚，庫存見底且產能轉向高利潤AI產品，導致傳統DRAM供應緊縮。儘管消費性需求受漲價影響轉弱，但AI強勁需求足以抵銷。HBM次世代規格競爭白熱化，賣方市...
供給受限使合約市場呈賣方主導，價格看漲，惟現貨高價已抑制買氣。財報顯示AI帶動企業級SSD需求，推升韓系大廠獲利。展望未來，業者聚焦製程升級與高容量技術以滿足AI架構需求，資本投資側重技術演進而非單純擴產，...
合約價格預測大幅上調，尤以PC應用領漲，後市仍看漲。現貨市場因高價致先進產品交易停滯，需求轉向價格較低的成熟製程。長鑫存儲加速先進製程轉進，預期全球產出占比攀升，並鎖定高容量DDR5與HBM研發，致力提升設備...
合約市場受原廠獲利導向驅動，價格延續高檔；現貨市場雖價漲但買氣觀望，賣方堅持惜售。長存(YMTC)受惠新廠投產與技術提升，市占將顯著增長，積極推動供應鏈國產化，並拓展高階儲存與DRAM研發，配合IPO計畫轉向獲利...
1Q26 DRAM受AI強勁需求驅動，產能排擠效應顯著，確立為賣方主導的極端上漲週期。合約與現貨價同步飆升，預測展望持續上修。原廠優先滿足高獲利伺服器訂單，導致消費型與PC領域面臨嚴峻缺貨與成本壓力，整體呈現有價...
1Q26受AI強勁需求驅動，NAND Flash開啟超級週期。原廠嚴控產能並優先供應企業級產品，完全掌握定價權，導致全線價格顯著上揚。儘管消費終端疲弱，但在結構性短缺下，漲勢將延續，迫使買方接受高價，供應鏈面臨成本與...
受惠於原廠轉進新製程導致DDR4供給受限與惜售心態，加上現貨價走強，推升Consumer DRAM合約價顯著上揚。DDR3雖需求較弱，但因產出縮減且比價效應，價格同步走高。展望未來，高容量現貨強勢將支撐合約價於下一季持續...
DRAM市況在三星領頭下，合約價漲幅顯著，以Server DRAM為首。現貨市場無視年底盤點持續走強，DDR4供應緊缺。原廠庫存低位掌握議價權；買方除部分頭部大廠外，普遍面臨庫存下滑與搶貨困境，供應鏈缺貨與分配不均態勢...
受惠AI伺服器強勁需求，原廠產能轉向高利潤產品，導致其餘應用面臨嚴重缺貨，推升合約與現貨價格。目前供應端庫存處於低檔，市場重回賣方主導；PC與手機端庫存因供貨受限而下滑，僅雲端大廠維持戰略備貨，預期在產能...
DRAM供給缺口擴大，驅動合約與現貨價格強勁上揚，預期首季漲幅顯著且具上修空間。美光財報營收與毛利率大幅優於預期，並預示供應緊缺將延續多年，遂洽談長約並顯著增加資本支出布局HBM及先進製程。機構研判賣方議價...
NAND Flash受限於供給控管，合約與現貨價格同步走揚。美光財報顯示營收與毛利率大幅躍升，主要受惠於AI與資料中心強勁需求。展望未來，高容量QLC與企業級SSD為關鍵動能，公司將持續聚焦高毛利應用以優化獲利結構。
行動式 DRAM 合約價出現「中高美低」，中系漲幅遠高於美系。展望後續，原廠將以美系大幅補漲拉近區域價差，中系因議價延後仍有再漲空間。現貨 DDR4高容量產品持續走強，價格回檔有限，整體供給吃緊。記憶體成本大幅...
