2008年10月1日-- 9月以來，DRAM廠紛紛宣布減產，力晶、爾必達 (Elpida)、海力士(Hynix)分別在9月8日、9日、18日做出宣示減產動作，預計將減少全球DRAM產出5~6%左右，實際效應最快將於10月底至11月開始顯現。現貨市場在9月初第一次減產訊息傳出後，價格確實受到激勵，指標顆粒DDR2 1Gb eTT均價由9月8日的1.32美元反彈至10日的1.4美元上漲6%，但漲勢在11日後告一段落繼續盤跌。然海力士宣布減產後，現貨價格不再受到激勵，均價小幅上揚一美分後隨即轉弱。整體而言，減產訊息仍不敵現貨市場需求冷清的現實，九月持續冷清。
海力士在全球市佔率約20%，所減少的產能約佔全球DRAM產出的3%-3.5%，加上日前力晶與爾必達已宣佈減產的部份，集邦科技估計目前所減少的產能共佔全球產能的5%-6%左右。如加上未來可能跟進減產之成本結構不佳DRAM廠，全球DRAM產能將有機會減少8%-10%，才有機會渡過DRAM產業有史以來最嚴峻的寒冬，而市場復甦的時間也將會提早。而在產能的調整沒有到適度的下降前，產業的競爭已經不是公司間的輸贏，而是整個產業均輸。
2008年8月4日---根據集邦科技（DRAMeXchange)，2008年第二季全球NAND Flash品牌廠商整體營收達29.04億美元，較上一季31.9億美元下跌9.0%，整體而言，受到需求面持續不振與全球消費者信心指數持續下跌的影響，NAND Flash不論在平均價格與銷售量均呈現下滑的走勢。需求面的不振使NAND Flash供過於求的缺口持續擴大，第二季位元出貨量雖較上一季成長約10%，然而平均價格卻下跌約15%。
爾必達/力晶集團減產10%-15%仍不夠，重點還是在於市占率高達近五成韓系廠商能各自減產10%以上，整體市場才能有機會回歸健康。 2008年9月16日---力晶自九月八日正式宣佈將於第四季減少DRAM產出約10%-15%後，爾必達亦在九日宣佈減產10%的DRAM產出（日本廣島工廠），集邦科技(DRAMeXchange)分析師表示，以目前力晶和爾必達的DRAM產能來分析，分別為十三萬片與十一萬五千片，合計全球市占率約20%，預估所減少的產能約佔全球DRAM產出的2%-2.5%左右。
2008年9月2日-中國自奧運結束後，現貨市場需求未見明顯回升，在期待落空下，模組廠轉而以低價策略在中國市場銷售DRAM模組。根據集邦(DRAMeXchange)報價，DDR2 1Gb eTT跌破自去年11/27所創下的$1.57美元的歷史低價，來到了$1.51美元的新歷史低價，單日跌幅近7%，八月以來DDR2 1Gb eTT現貨價下跌達20%。DDR2 667 1Gb原廠顆粒價格也來到$1.65美元的歷史新低。