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集邦:截至2009年一月份全球DRAM廠減產已逾22%;一月下旬合約價醞釀反彈契機

15 January 2009

根據集邦科技統計去年九月至今年一月間的最新的投片量,全球減產已逾22%,其中以台灣減產幅度最高達55%,顯見DRAM廠自九月宣佈減產後每月仍不斷持續減少投片量已超過當初對外所宣稱的比例,加上實行有限度的出貨策略,自十二月份起已出現價格反彈的訊號,首先現貨市場DDR2 1Gb eTT顆粒價格自12月中大舉反彈至今逾75%,合約價亦自一月上旬止跌回穩,待PC OEM需求歸隊,反彈之路指日可待。

集邦: 現貨行情築底並持續走揚;2009年全球DRAM產業資本支出預估削減40%-50%

15 January 2009

2009年1月6日---根據集邦科技( DRAMeXchange),現貨市場方面DDR2 1G eTT自十二月中開始起漲,顆粒價格從低點的0.59美元上漲至今0.92美元 (12/15-1/6),漲幅將近56%,DDR2 667Mhz 1Gb亦不徨多讓,價格也從0.58美元上漲至0.78美元,漲幅約34%,由市場面來觀察,雖然近期適逢聖誕假期與新年關係,歐美市場陸續休兵,雖僅剩亞洲市場獨撐大局,並未出現大幅下跌的走向,整體現貨顆粒價格仍持續走穩上揚。再者,以現貨市場為主的台系DRAM繼續控制出貨量的方針依然不變,原因在於以目前的顆粒價格來說,仍未達到廠商的1.3-1.5美元的現金成本,為了保有現金與價格水位,出貨量的控制將有再繼續的必要性。

集邦:2009年NAND Flash位元成長持續下修至81%,終端應用產品需求面仍顯疲弱

5 January 2009

2008年12月31日---肇因於各項NAND Flash相關應用產品需求持續下滑,集邦科技 (DRAMeXchange)對2009年NAND Flash 位元成長幅度持續下修,2008年9月預估為108.2%,10月份則微調至95.3%,11月持續下修至93%,12月份隨著上游廠商持續減產,整體位元成長預估下降至81%。回顧過去幾年NAND Flash位元成長的幅度,2006年為175%,2007年達到151%,2008年平均位元成長值為121%,對於2009年的預估與過去數年相較明顯偏低,也反映出整體市場對消費性電子產品的需求明顯下降。

2008年DRAM產業重大事件回顧

5 January 2009

2008年12月30日---回顧2008年,全球DRAM產業面臨到嚴重供過於求與產業結構的問題,上半年時8吋廠陸續投入非DRAM商品,加速8吋廠轉型並全力轉進12吋廠降低DRAM顆粒成本,並宣示明年導入50奈米的走向不變,此時DRAM業界仍普遍相信景氣回春有機會於下半年浮現,可惜下半年的金融風暴將DRAM產業推入冰河時期,不光DDR2 1Gb eTT

集邦:減產效應開始發酵,持續至第一季底;DDR2 1Gb現貨價有機會於第一季回到1美元

5 January 2009

2008年12月23日---DDR2 667Mhz 1Gb價格在10月底跌破現金成本1美元後,仍緩跌至0.6美元,來到廠商的材料成本。DRAM廠在不堪虧損下,減產幅度愈來愈大。根據集邦科技統計,在第四季台灣廠商12吋約當產能已減產近30%,韓系廠商在海力士停掉8吋產能後,十二月再減12吋產能約20%,即使三星未減產,韓系廠商總產能在第四季仍減少16%。明年一月,適逢台灣農曆過年,台系DRAM廠甚至延長休假至2周,第一季產能持續下降。集邦科技預估,減產效應持續發酵,明年一月至三月全球產出持續負成長。但在全球經濟不景氣加上個人電腦第一季銷售下降下,DRAM合約價僅可望落底,上漲動能較弱。


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