華邦電以十多億美元併購英飛凌NOR Flash與F-RAM事業，預計明年下半年交割。此舉取得車用認證與高容量產品，合併市占率大幅提升並躍居全球第一，月產能大幅擴增，帶動產業由多強並立轉為單一龍頭，強化車用與人工智慧...
AI伺服器驅動傳統DRAM與HBM需求熱絡，供給緊縮推升合約價，帶動原廠營收大幅成長。雖然伺服器應用搶佔產能，但終端如電腦與手機因成本過高導致需求放緩。買方轉向低容量規格因應高價，三大原廠與台廠皆透過產能轉型...
人工智慧浪潮持續驅動高容量記憶體需求，帶動合約價格飆漲與產業營收強勁成長。雖然三大原廠積極優化先進製程與擴建新廠以增加位元供給，但整體產能擴增速度仍難以滿足強勁需求。在價格高漲下，供應商獲利顯著改善，...
AI Agent推升KV Cache與Token儲存需求，使記憶體架構重組。成本考量驅使Token自高價HBM與DRAM下放至SSD。原廠積極推動HBF、SCM及SLC等新世代NAND應對壽命與延遲挑戰，同時加劇晶圓消耗，佈局先進產能成競爭關鍵。
NAND產業資本支出成長加速，但擴產態度克制。供給增量主因既有廠區無塵室填充與製程轉進，新增產能有限。整體建廠規模遠小於記憶體，實際大規模產能釋放需待後期，產業供給彈性高度依賴技術提升而非實體擴廠。
全球 DRAM 廠商加速新廠建置與資本支出，新產能將於後年起分階段釋放。隨著各大原廠無塵室與裝機推進，大規模產能預計於後續數年間陸續開出，推動產業結構性供給擴張，實際位元產出仍受建廠變數與產品驗證時程影響。
受惠人工智慧應用擴展至推論領域，雲端服務業者積極布建資料中心，帶動各規格伺服器記憶體追加訂單湧現，推升合約價加速上漲，產業營收因而展現強勁成長。展望後市，在原廠庫存普遍面臨觸底且產能優先滿足伺服器與高...
伺服器記憶體受原廠庫存見底影響，合約價持續大幅攀升。雖短期漲勢強勁，但隨買方成本壓力漸增，後續漲幅將收斂。受限零組件短缺，整機出貨受抑；基於未來供不應求共識，全球買方正積極以預付款換取長約保障。
受惠AI強勁需求與供給缺口，韓系原廠上修正式報價，帶動伺服器記憶體合約價上修。儘管產能由消費端轉移，供給增速仍落後需求。為確保長期貨源，客戶於長約談判中納入價格下限機制。
受供給缺口擴大影響，2026年初伺服器DRAM合約價預期大幅飆漲。美系原廠率先調漲，韓系廠則策略性遞延報價以推升成交水位。儘管原廠產能積極轉移至伺服器領域，買方需求仍未獲滿足，且主流規格正加速轉向高速運算產品...
TrendForce顯示AI應用促使Server對DRAM需求增加，導致產能緊張。三星、SK hynix與美光計劃擴大DRAM生產以應對未來幾年需求，預期2026年DRAM市場仍供不應求。
根據全球市場研究機構集邦科技TrendForce最新調查，時序進入年中，中國618銷售節、2H24 Smartphone新機發表及年底銷售旺季的預期心理...
根據全球市場研究機構集邦科技TrendForce調查，Micron已決定在日本建設新DRAM工廠，新廠將坐落於Hiroshima(廣島市)，緊鄰已建成的Fab15...
根據全球市場研究機構集邦科技TrendForce調查顯示，目前僅有八吋Foundry廠的Vanguard於6/5宣佈將興建十二吋廠，正式進軍十二吋foundry領域...
根據全球市場研究機構集邦科技TrendForce調查顯示，雖TSMC、Samsung及Intel等持續競逐邏輯先進製程技術領先性，投入大量資源於製程研發與產能擴充...
