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NAND 擴產趨勢：供給位元提升由技術轉進主導
發佈日期
2026-08-27
更新頻率
不定期
報告格式
NAND產業資本支出成長加速，但擴產態度克制。供給增量主因既有廠區無塵室填充與製程轉進，新增產能有限。整體建廠規模遠小於記憶體，實際大規模產能釋放需待後期，產業供給彈性高度依賴技術提升而非實體擴廠。
重點摘要
- 擴產策略保守： 資本支出雖增加，但原廠建廠規模遠小於記憶體，大多透過既有廠房填充無塵室與技術轉進維持成長。
- 前期供給來源： 新增投片主要集中於日本與中國大陸等特定業者的廠區擴建，以及美系廠牌針對人工智慧伺服器需求的儲存空間填充。
- 後期產能釋放： 新加坡新廠與韓國大型園區的放量需待後期顯現，中長期供給放量時程相對靠後。
- 市場關鍵變數： 技術層數堆疊效益、雙產品共用廠區的產能配置轉移，以及設備搬入與驗證時程落差，將深遠影響實際位元產出。
目錄
- NAND新廠擴產相對克制，2027年供給增量主要來自製程轉進與既有廠區填充
- Distribution of NAND Flash Wafer Starts by Supplier
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報告分類: NAND Flash
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