AI發展引導儲存從HDD轉向SSD，推升NAND Flash合約與現貨價格。QLC與TLC需求強勁，預計AI相關SSD將帶動市場結構性成長，NAND Flash將成為AI伺服器與雲端架構的核心。
合約市場DRAM價格預期大幅上漲，美光漲幅領先。現貨市場因看漲惜售，DDR4稀缺，DDR5同步走高。AI發展將從訓練階段的HBM需求，轉向代理人時代對CPU與傳統伺服器DRAM的爆發性需求，全面推升記憶體市場。
集邦科技預測，2026年記憶體市場將因AI伺服器需求強勁與供應商利潤導向，而迎來結構性漲價。原廠產能向高毛利應用傾斜，排擠其他應用供給，導致DRAM及NAND Flash價格全面上揚，儘管消費端需求疲弱。
NAND Flash市場受惠企業級SSD與AI需求，合約及現貨價齊揚，轉為賣方市場。美光憑藉QLC技術與資料中心SSD策略，成功轉型並預期營收與毛利將持續成長，鞏固其市場競爭力。
DRAM市場強勁，合約與現貨價格大幅上揚，賣方主導態勢確立。美光受惠於AI與伺服器需求，季度營收及毛利率創高，展望優於預期。其HBM業務進展迅速，技術與市占領先，鞏固市場地位。預期DRAM供給持續緊縮，價格將持續...
9月消費性DRAM合約價漲勢趨緩。展望後市，因CSP伺服器需求強勁排擠產能，原廠上調4Q25合約價目標。消費性DRAM預計上修至雙位數漲幅，漲勢延續至1H26。
2025年DRAM合約價持續走高，原廠因伺服器需求強勁，將產能優先轉至先進製程，使PC DRAM供給轉趨吃緊。PC OEMs為因應未來漲勢，可能調整採購策略。
受企業SSD強勁需求與供應緊俏影響，9月NAND Flash wafer價格普遍上漲，模組廠轉為積極備貨。原廠優先供應高利潤產品並受製程轉換影響，使供應更顯吃緊。預期未來數月市場將持續結構性走揚，而非單純季節性需求。
九月SLC/MLC NAND Flash合約價加速上揚，主因利基需求穩健、原廠策略性收縮供給，以及產能轉向高毛利產品。預期十月價格續漲，供應緊繃。
DRAM市場供應吃緊，合約與現貨價格持續上漲。供應商庫存偏低，美系CSPs需求強勁。客戶端庫存水位分歧，但整體預期價格仍將維持上漲趨勢。
AI需求推升儲存，HDD供應不足促使訂單轉向企業級SSD，帶動NAND Flash市場情緒轉強。原廠庫存近健康水位，預期4Q25合約與現貨價格將全面上漲。
AI伺服器需求強勁，NVIDIA、AMD及CSP自研ASIC驅動市場成長。DDR5已為主流，但DDR4因儲存應用延續生命週期，價格反彈。CPU市場AMD與ARM挑戰Intel。2Q25伺服器DRAM營收季增，高容量模組推升平均價格，展望後市AI伺服器...
4Q25記憶體漲價動能延續，主因AI需求強勁、供應商重利潤限產。伺服器DRAM及企業級NAND Flash受美系CSPs提前採購、HDD短缺影響，漲幅顯著，舊製程產品供給尤為緊俏。
美系雲端大廠擴大採購，DRAM合約市場供貨吃緊，價格預期上漲。現貨市場雖平淡，但受需求牽引，價格易漲難跌。總體而言，市場略有供需缺口，價格受支撐，但下半年展望保守。
NAND Flash市場受HDD缺貨及資料中心對企業級QLC SSD強勁需求驅動，合約與現貨價格全面反轉上揚。供應商聚焦QLC產出與製程升級，預期供不應求格局將推動價格自4Q25持續走高至3Q26。
