TrendForce集邦科技鋰電研究處對中國市場鋰離子電池產業鏈主要產品價格走勢進行追踪，覆蓋鋰、鈷、鎳、正/負極材料、隔膜、電解液、銅箔/鋁箔、電池芯等關鍵產品
Smartphone市場自2H25起落入記憶體供給吃緊、價格瘋漲導致終端價格上調、需求轉弱的閉環；面對此等不利環境，smartphone品牌將以下修產量、調整規格與價帶因應。當前品牌暫未明顯下修1Q26生產目標，但若需求衰退幅度...
受惠於原廠轉進新製程導致DDR4供給受限與惜售心態，加上現貨價走強，推升Consumer DRAM合約價顯著上揚。DDR3雖需求較弱，但因產出縮減且比價效應，價格同步走高。展望未來，高容量現貨強勢將支撐合約價於下一季持續...
伺服器DRAM因原廠庫存見底與AI強勁需求，合約價格大幅飆升。HBM產能擴張排擠一般DRAM供給，導致市場嚴重供不應求。原廠優先滿足主要CSP客戶，部分客戶合約量遭削減。預期未來季度價格將持續顯著上漲，買方為確保貨源...
2025年末PC DRAM合約價展現強勁漲勢，漲幅顯著擴大。原廠因產能吃緊實施策略性供貨，優先滿足戰略客戶，導致依賴模組廠之OEM成本結構大幅墊高。漲價預期驅動備貨需求，賣方市場確立下，預估下一季度價格漲勢將進一步...
2025年受美中貿易政策影響，全球經貿成長趨緩。AI自研晶片需求帶動高階MLCC需求增加，日韓廠擴產謹慎，台陸廠守低價策略，市場需求兩極化顯著。消費性電子產品需求疲弱，供需調節成為主要目標。
受惠於AI與企業級SSD強勁需求，原廠嚴控產能並向高階應用傾斜，導致十二月NAND Flash Wafer合約價全面顯著上揚，尤以TLC與QLC漲勢最猛。目前市場仍由賣方主導，因供應吃緊且無擴產計畫，短期價格上行趨勢穩固，難以...
原廠產能轉往先進製程致使成熟製程供給緊縮，疊加電信、工控與車用等利基需求穩健及客戶提前備貨，推升SLC與MLC合約價全面上揚。展望後市，因產能縮減成定局且需求維持高檔，供需失衡預期將使價格漲勢延續至未來季度...
1Q26受AI伺服器強勁需求驅動，記憶體產業確立賣方市場。原廠產能重押高毛利伺服器應用，導致供給結構性短缺。PC與消費端雖處淡季，仍因產能排擠效應面臨缺貨，DRAM與NAND Flash全線產品價格將顯著上揚。
Memory price surge reshapes notebook market with declining 2026 shipments. Brand resilience diverges by supply-chain strength and pricing power. Entry-level segments face severe pressure while premium...
自3Q25起記憶體漲勢放大，該強勢漲幅預估至少延續至1Q26，顯著推升BOM cost 並迫使終端調價。鑑於此，TrendForce再次下修2026年全球 smartphone 生產總量，並且在成本續漲或經濟惡化情況下，年減幅度將進一步擴大。...
TrendForce車用 LED 市場資料庫內容涵蓋以下八大主題，提供給讀者全方面的行銷策略。1. 全球車市與電動車市出貨分析 2. 車用 LED 應用市場需求 3. 車用 LED 應用與區域市場需求- 歐洲 (EMEA)、美洲 (Americas)、中國...
4Q25 中系smartphone 在記憶體上的漲幅高於美系，促使原廠在1Q26 透過對美系「補漲」以平衡區域價差。初估中系客戶的絕對價格可望略低於美系客戶，但不排除因議價延後、或與2Q26合併議價而再擴大漲幅。此波記憶體價...
TrendForce集邦科技鋰電研究處對中國市場鋰離子電池產業鏈主要產品價格走勢進行追踪，覆蓋鋰、鈷、鎳、正/負極材料、隔膜、電解液、銅箔/鋁箔、電池芯等關鍵產品
行動式 DRAM 合約價出現「中高美低」，中系漲幅遠高於美系。展望後續，原廠將以美系大幅補漲拉近區域價差，中系因議價延後仍有再漲空間。現貨 DDR4高容量產品持續走強，價格回檔有限，整體供給吃緊。記憶體成本大幅...
