關稅與政策使早期需求保守，然雲端擴張與AI投資推升記憶體需求與報價，DRAM供應轉緊。DDR5漲勢確立、獲利有望超越HBM3e，供應商產能與價格策略將重塑市場格局。
NAND Flash市場因企業SSD需求強勁，供應商惜售並拉抬合約與現貨價，導致供需嚴重失衡，價格全面飆漲。此漲勢預計將持續至明年，上半年將面臨嚴重供不應求。
Micron 因產能策略調整，優先高毛利產品，壓縮標準 DRAM 供應，導致其報價大漲，SK hynix 則較溫和。現貨市場 因需求強勁、庫存惜售而價格上揚，供需持續緊張。
中美經貿摩擦再度升溫，美國對中國商品加徵關稅，中國則祭出稀土與鋰電池出口管制反制。地緣政治角力升級，衝擊年末節慶消費信心，ICT產品需求下滑。儘管AI基礎建設訂單持續暢旺，但手機與筆電市場呈現保守態度。MLC...
此報告指出，Google、AWS等雲端巨頭對HBM的需求顯著增長，HBM容量與部署在各代晶片上持續提升；META與Huawei逐步成為新興買方，HBM需求預期穩步走高，推動產業景氣改善。
全球AI伺服器市場持續成長，大型雲端供應商加速基礎設施佈建與平臺升級，NVIDIA與自研ASIC拉貨動能提升，區域因素與跨國佈局激勵新技術與策略調整。
2025年全球第6-10名手機品牌為Transsion、Honor、Lenovo、Huawei與Google。其中Transsion因銷售市場競爭加劇及記憶體供應短缺而略有下修；Honor亦受記憶體供應短缺干擾，導致海外銷售略有下滑。記憶體方面，Samsung...
AI發展引導儲存從HDD轉向SSD，推升NAND Flash合約與現貨價格。QLC與TLC需求強勁，預計AI相關SSD將帶動市場結構性成長，NAND Flash將成為AI伺服器與雲端架構的核心。
合約市場DRAM價格預期大幅上漲，美光漲幅領先。現貨市場因看漲惜售，DDR4稀缺，DDR5同步走高。AI發展將從訓練階段的HBM需求，轉向代理人時代對CPU與傳統伺服器DRAM的爆發性需求，全面推升記憶體市場。
中國本土需求推升八吋晶圓代工產能利用率至滿載，帶動漲價與擴產規劃。客戶為確保先進製程產能，正深化與特定代工廠的合作，同時地緣政治因素也促使供應鏈重組。
美國政經不穩、消費萎縮，ODM備貨趨保守，供應鏈壓力提升。雖逢節慶與新機上市，仍難以提振消費市場，僅蘋果新機需求亮眼。AI伺服器帶動部分需求，但整體產業保守應對。
2026年NAND Flash產業，AI驅動企業級SSD需求爆發，抵銷消費端疲軟。HDD供應瓶頸迫使市場轉向高容量QLC SSD。供給面雖有位元增長，但高容量SSD仍結構性緊缺，預期產業將供不應求，價格持續上揚，迎來關鍵轉折。
集邦科技預測，2026年記憶體市場將因AI伺服器需求強勁與供應商利潤導向，而迎來結構性漲價。原廠產能向高毛利應用傾斜，排擠其他應用供給，導致DRAM及NAND Flash價格全面上揚，儘管消費端需求疲弱。
本期伺服器市場觀察顯示北美雲端需求為成長主軸，企業採購保守，AI伺服與高效散熱為重點。主要供應商如Compal與Supermicro聚焦AI伺服與新型機櫃，並留意中東區域機會與美洲產能布局對出貨時程的影響。
NAND Flash市場受惠企業級SSD與AI需求，合約及現貨價齊揚，轉為賣方市場。美光憑藉QLC技術與資料中心SSD策略，成功轉型並預期營收與毛利將持續成長，鞏固其市場競爭力。
