根據全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查顯示，原本下半年在全球景氣不明朗，DRAM價格預估將逐步往下的趨勢下，由於SK海力士無錫廠大火使得供給面出現短期重大產能缺口，不光現貨價格大漲40%來到DDR3 2Gb來到2美元價位，合約價價格最高成交價格至今亦來到34美元。但隨著SK海力士於韓國場區增產與三星策略性投片增加下，原本受到SK海力士火災影響上漲價格走勢，將受到三星及SK海力士的計畫而受到壓抑，加上部份DRAM廠鎖定整季的合約價格來議定，上漲格局已經遭到破壞下，第四季合約價以持平或是小幅下修的可能性增高...
由於NAND Flash供應商並無產能擴張的計畫，第二季單季位元產出季成長率僅有8.4%QoQ，同時原廠也持續降低對於通路客戶的供貨比重以穩定市況，因此在智慧型手機、平板電腦出貨大致符合預期的情況下，第二季NAND Flash合約價維持與第一季相當的水準，供需狀況健康...
根據全球市場研究機構TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調查顯示，全球DRAM產業合約價上漲約16%，DDR3 4GB價格來到27.5美元，從市場面來觀察，雖然第二季屬PC傳統出貨淡季，但在標準型記憶體產出仍持續減少當中，讓第二季合約價持續上漲。但時序進入第二季末，由於下半年全球經濟愈趨保守及PC出貨仍不明朗， 合約價格上漲力道開始趨緩，對於第三季的價格走勢開始產生不確定性，加上PC-OEM的DRAM庫存水位節節攀升下，集邦科技認為下半年合約價將會持平甚至下跌的可能性高...
回顧第一季NAND Flash市況雖然在終端需求面臨淡季效應的影響下呈現5-10%不等的下滑，但在NAND Flash供應商暫緩上半年產能投片擴張的計畫以節制產出讓第一季NAND Flash位元成長率僅有8%QoQ，降低第一季供過於求的缺口至2.8%，因此第一季NAND Flash合約價格依舊維持穩健走勢，產業秩序相對健康...
全球DRAM顆粒價格在第一季的表現亮眼，DDR3 4GB合約均價部份從17.25美元上漲至23.5美元，大漲近36%， 2GB模組由於2Gb顆粒生產逐步走入末期，均價漲幅更逼近44%，從市場面來觀察，由於一線DRAM大廠仍積極轉進行動式記憶體及伺服器用記憶體，今年標準型記憶體占總產出僅約32%，較去年最末季的44%再度下滑。自今年第二季開始，行動式記憶體的產出市占率將正式超越標準型記憶體，成為記憶體市場占比最高的產品...
NAND Flash相關業者預期農曆年後市場將受到淡季效應的影響，第二季市況將較第一季為疲軟，但NAND Flash供應商在今年上半年將延續暫緩新產能擴充計畫來減緩市場的供給成長率，因此NAND Flash價格將大致呈現緩跌，下半年在智慧型手機、平板電腦與Ultrabook新機上市所帶動的備貨效應下需求將逐步加溫，NAND Flash價格也可望自第三季回穩...
全球第四季標準型記憶體市場方面，由於一線DRAM大廠積極轉進毛利較高的行動式記憶體與伺服器用記憶體，並降低標準型記憶體的產出，加上第四季中國市場MID市場需求湧進，讓現貨市場啟動漲價機制，第四季DDR3 1600Mhz 2Gb顆粒價格從0.82美元上漲至1.05美元，漲幅逼近30%，中國新年前夕，由於補貨需求力道強勁，2Gb價格更逼近1.3美元，從去年起漲點來觀察，至今價格已經漲幅逼近60%...
目前NAND Flash供應商對2013年的市場需求及資本支出持保守的態度，主要仍將採用製程技術升級來提高位元產出量，以強化成本的競爭力來減緩價格下跌對獲利率的影響，集邦科技(TrendForce)預估全球NAND Flash市場位元供給量將由2012年的14,858 M 16Gb equiv.成長41.1% YoY成為2013年的20,960 M 16Gb equiv...
全球第三季行動式記憶體市場方面，由於PC產業的衰退，全球記憶體產業整體營收季減8.5%。但一線DRAM大廠仍積極轉進行動式記憶體領域，今年預估行動式記憶體的產出量將占整體產出量的21%，明年更上看26%; 而在價格方面，本季行動式記憶體合約價格平均跌幅約在5%左右，較上半年平均10-15%的跌幅已大幅收斂，整體來說由於產出量持續增加，行動式記憶體整體營收仍較前季成長15.4%...
受到全球經濟復甦不確定性的影響，多數NAND Flash供應商對2H12的市況仍傾向保守，因此2012年的供應商的位元產出成長的驅動力仍將以製程技術升級為主，近期多數NAND Flash供應商多已計劃將採取暫時減產，放緩原訂於2H12 的新產能擴增計劃，或將部分 NAND Flash生產線轉為生產其它IC產品，來降低2H12的位元產出成長速率及資本支出預算，以減緩價格下跌對獲利率的衝擊影響...
