全球第二季行動式記憶體市場方面，由於全球智慧型手機出貨暢旺與平板電腦的興起下，帶動行動記憶體在第二季需求大幅成長。雖然整體行動式記憶體合約價較第一季跌幅約10%左右，然而整體營收仍較第一季逆勢成長約12.4%。從第二季行動式記憶體營收來觀察，三星半導體市占逼近全球60%，仍穩居龍頭之位，韓系廠商占全球行動式記憶體營收的77.5%，較第一季僅小幅減少1.1%。第三名的日商爾必達市占則是小幅下滑0.8%來到13.9%，美商美光科技則受惠於中低階智慧型手機的成長，市占小幅成長至6.7%，位居第四...
2012 年行動裝置蓬勃發展，蘋果、谷歌、微軟三大陣營各領風騷...
受到全球經濟復甦不確定性的影響，多數NAND Flash供應商對1H12的市況仍傾向保守，因此2012年的供應商的位元產出成長來源仍將以製程技術升級為主，以縮小市場供過於求的缺口,及強化成本的競爭力,來減緩價格下跌對獲利的衝擊性，2012年廠商也將持續淘汰部分200mm晶圓廠設備...
5月8日爾必達正式宣佈併入美光體系，三大DRAM陣營儼然成形，經由這次美光整併爾必達後，綜合兩家公司的市占率，泛美光集團可望一躍逼近24%，高過SK海力士(23.9%)，成為僅次三星成為市占率第二的記憶體品牌廠，泛美光集團將整合台美日DRAM廠產能，(新增)整合如美光的Flash製品、爾必達的行動式記憶體及台灣DRAM廠的製造能力，力抗韓系大軍獨大態勢，DRAM產業於今年可正式走向寡占市場，三大DRAM陣營已儼然成形，有助於DRAM顆粒價格逐步走向健康面，避免以往動輒削價競爭的市場態勢...
受全球經濟復甦的不確定因素影響，多數NAND Flash供應商對1H12的市況仍傾向保守，因此1H12的位元成長將以製程技術升級為主，來強化成本的競爭力，2H12開始將視市場需求狀況再適度地增加新的300mm晶圓產能，以縮小NAND Flash市場供過於求的缺口，來減緩價格下跌對獲利性的衝擊，預期主力製程技術將由2H11的2xnm級轉進至2H12的2ynm級，集邦科技預估全球NAND Flash市場位元供給量，將由2011年的9181 M 16Gb equiv.成長70.6% YoY，成為2012年的15663 M 16Gb equiv....
三星囊括Mobile DRAM市場達54%市占率，韓系廠商佔全球市場逼近75%，由於智慧型手機與平板電腦的興起，一線DRAM廠紛紛調高行動式記憶體的生產比重，三星半導體在行動式記憶體出貨持續暢旺下，成為第四季唯一獲利的半導體廠商。行動式記憶體價格方面，2011年第四季價格較上季約有10%的跌幅，LPDDR2 8Gb均價約17.4美元上下；而今年第一季適逢傳統出貨淡季，行動式記憶體仍將維持下跌走勢，預估約有15~20%的跌幅...
受全球經濟復甦的不確定因素影響,多數供應商對1H12的市況多傾向保守,因此1H12的位元成長將會以製程技術升級為主來強化成本的競爭力,2H12時才會視市場需求的狀況來適度地增加新的300mm晶圓產能，以縮小NAND Flash市場供過於求的缺口，以期能減緩價格下跌對獲利性的衝擊影響程度，預期主力製程技術將由2H11的2xnm級轉進至2H12的 2ynm級，因此集邦預估全球NAND Flash市場位元供給量將由2011年的9213 M 16Gb equiv.成長67.7% YoY成為2012年的15448 M 16Gb equiv...
全球DRAM產業於第三季度營收總計為約65.66億美元，由於總體經濟持續疲弱、供過於求情況加劇，第三季DDR3 4GB合約價均價由31美元下跌至19.5美，跌幅將近37%，第三季DRAM廠總營收與上季相較大幅衰退19.4%，除了三星半導體外，其餘DRAM廠皆繳出虧損財報，加上DRAM廠於第四季積極轉進30nm製程與DDR3 4Gb顆粒，2012年上半年供過於求仍超過15%，勢必將加速DRAM產業的減產甚至整併...
受到全球總體經濟因素的干擾，第二季系統產品如智慧型手機與平板電腦出貨出貨表現不如預期，零售記憶卡與隨身碟市場同時對於第三季景氣的不確定性升高與下半年旺季效應保持謹慎的態度，因此集邦科技預估2011年的NAND Flash位元需求量將成長72.4%YoY達到8,925M 16Gb equiv...
根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調查，全球DRAM產業於第二季度營收總計為約81億美元，受到日本地震所帶來的缺貨預期因素而有微幅回升，但受到茂德投片減少以及力晶轉進非DRAM產品增加的影響，總營收與上季相比呈現1.9%的小幅衰退...
