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關鍵字:吳雅婷共137筆

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TrendForce:零組件缺料狀況持續衝擊整機出貨,PC及筆電端受影響程度最低

2022/01/10

半導體

根據TrendForce調查顯示,全球晶圓代工產能在疫情、地緣政治、數位轉型生活等因素驅動下,已歷經近兩年供不應求的市況,尤其是成熟製程 1Xnm~180nm短缺情況最為嚴重。雖然各晶圓代工廠皆積極拉升資本支出以擴大產能供應,但遠水救不了近火,加上供應鏈資源分配不均的問題,使零組件缺料狀況至今日仍未明確紓緩,整體將持續衝擊相關整機出貨,預期2022年第一季僅PC類別受影響程度較輕微。 時序進入2022年第一季,TrendForce表示,由於產能增幅仍然有限,對於市場的供給狀況預估將約略與2021年第四季持平;惟部分終端產品進入傳統淡季週期,需求動能趨緩可望減輕OEMs及ODMs對供應鏈備貨的迫切壓力。 伺服器整機方面,目前以FPGA供貨週期來到50周以上為最長,而網通晶片(Lan chip)的供貨週期則有明顯改善,由原先50周以上已縮短至大約40周,但伴隨著疫情不確定性所催生加單動能與過往累積的積壓性需求(Back order/ backlog),ODMs普遍的SMT產能均滿載。上述現象不僅讓FPGA與PMIC等IC去化速度加快,且FPGA、PMIC、 MOSFET追單需求仍較為迫切,整體市場依舊吃緊,未來伺服器主板生產恐將因此面臨隱憂。TrendForce由此推斷,以L6伺服器為例,其2022年第一季生產規模將與前季大致持平;而整機出貨則呈現季節性衰退,季減約8%。 手機方面,缺料狀態在2021下半年開始已逐漸緩解,部分也要歸功於手機規格較能彈性調整,各品牌可依據既有料況調整其規格配置。目前較為吃緊的有四項零組件,其中4G SoC(30~40周)及OLED DDIC/Touch IC(20~22周)對市場影響較為顯著,前者將對以4G手機銷售為主的品牌產生衝擊;後者則是分別受到寡占市場以及晶圓代工產能調整影響,故傳出供應不足的雜音。其餘兩項如PMIC、A+G Sensor雖仍吃緊,但多數可以透過替代料的遞補或是規格配置調整來降低缺料風險。生產方面,2022年第一季供應鏈狀況基本延續前季表現,但受到2021年末的節慶需求不如預期,品牌必須適時調節在外的成品庫存水位,加上冬季疫情攪局所帶來的不確定性,預估該季生產表現將季減約13%。 PC及筆電方面,自2021年11月起,長短料當中的短料缺貨狀況有部分紓緩,因此2021年第四季PC ODMs出貨量有所上修。相較手機與伺服器整機,長短料不齊對PC與筆電端所造成的影響相對輕微,目前吃緊的零組件除了SSD PCIe 30控制器是因為Intel新平台轉換遞延,因此造成短期青黃不接現象導致供貨週期約8~12周,其餘如Type C IC、WiFi、PMIC皆逐漸緩解中。TrendForce預期,在整體供應鏈穩定度持續好轉下,預估2022年第一季ODM廠筆電出貨量僅季減51%,然若排除零組件缺貨因素,後續各通路銷售狀況也將是TrendForce需關注的另一大變因。 若有興趣進一步了解並購買TrendForce旗下半導體研究處相關報告與產業數據,請至https://wwwtrendforcecomtw/research/dram查閱,或洽詢業務鍾小姐lattechung@trendforcecom。

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TrendForce: ASML德國柏林廠火災,恐衝擊EUV相關的光學零組件供應

2022/01/05

半導體

ASML位於德國柏林的工廠一處於1月3日發生火警,該企業主要為晶圓代工及記憶體生產所需的關鍵設備機台(包含EUV與DUV)之最大供應商,據TrendForce初步了解,占地32,000平方米的柏林廠區中,約200平方米廠區受火災影響。而該廠區主要製造光刻機中所需的光學相關零組件,例如晶圓台、光罩吸盤和反射鏡,其中用以固定光罩的光罩吸盤處於緊缺狀態。目前該廠零組件以供應EUV機台較多,且以晶圓代工的需求占多數。若屆時因火災而造成零組件交期有所延後,不排除ASML將優先分配主要的產出支援晶圓代工訂單的可能性。 獨家供應關鍵機台EUV交期已長,可能影響先進製程轉進時程 晶圓代工方面,EUV主要使用於7nm以下的先進製程製造。目前全球僅台積電(TSMC)與三星(Samsung)使用該設備進行製造,包括TSMC 7nm、5nm、3nm製程工藝,Samsung於韓國華城建置的EUV Line(7nm、5nm及4nm)以及3nm GAA製程工藝等。不過,受到全球晶圓代工產能緊缺、各廠積極擴廠等因素影響,半導體設備交期也越拉越長。 DRAM方面,目前三星及SK海力士(SK hynix)已使用在1Znm及1alpha nm製程上,美系廠商美光(Micron)則預計於2024年導入EUV於1gamma nm製程。根據TrendForce目前掌握,ASML EUV設備的交期落在約12~18個月,也因為設備交期較長,ASML有機會在設備組裝時間等待該工廠所損失的相關零組件重新製造完成。 整體而言,ASML德國柏林工廠火災對晶圓代工及記憶體而言,將可能對EUV光刻機設備製造產生較大影響。而根據TrendForce的消息掌握,ASML所需的零組件亦不排除透過其他廠區取得,加上目前EUV設備交期相當長,因此,實際對EUV供應的影響仍有待觀察。 若有興趣進一步了解並購買TrendForce旗下半導體研究處相關報告與產業數據,請至https://wwwtrendforcecomtw/research/dram查閱,或洽詢業務鍾小姐lattechung@trendforcecom。

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TrendForce:台灣 1月3日震後調查, DRAM與晶圓代工生產無礙

2022/01/04

半導體

昨(3)日傍晚5點46分於台灣東部海域發生芮氏規模約60地震,由於台灣DRAM與晶圓代工廠區大多集中於北部與中部,經TrendForce初步調查確認各廠並無重大機台損害,生產方面正常運行,實際影響有限。DRAM方面,台灣占全球產能約21%,包含台灣美光晶圓科技(MTTW)、南亞科(Nanya)以及其他較小型廠房的綜合產出;晶圓代工方面,台灣占全球產能高達51%,包含台積電(TSMC)聯電(UMC)、世界先進(Vanguard) 與力積電(PSMC)等公司的綜合產出。 DRAM方面,除了部分終端的需求因長短料況改善而有淡季不淡的支撐外,近期來自中國西安受疫情導致的封城也引發市場對供給面的隱憂,使得現貨價格連日走揚,而該現象於DRAM類別較NAND Flash更加明顯。TrendForce目前對2022年第一季DRAM價格預測仍為約8~13%的季跌幅,但由於上述因素將隨時牽動採購行為的改變,因此後續實際合約價發展仍有待持續觀察更新。現貨市場部分,由於1/3地震發生日仍值中國假期期間,大部分現貨交易商未有積極動作;地震對其是否產生正向的激勵有待日後更新。 晶圓代工方面,雖然近期部分終端產品進入淡季週期導致零組件拉貨動能稍加趨緩,但先前較為短缺的晶片如汽車晶片、PMIC、Wi-Fi SoC等備貨力道仍然強勁,整體來說晶圓代工產能仍處於產能利用率超過100%的供不應求市況下。台系晶圓代工廠台積電、聯電、力積電及世界先進工廠所在地主要集中於新竹、台中以及台南,上述地區的地震震度皆落在三級(含),故並未造成停機,工廠皆正常營運當中。 若有興趣進一步了解並購買TrendForce旗下半導體研究處相關報告與產業數據,請至https://wwwtrendforcecomtw/research/dram查閱,或洽詢業務鍾小姐lattechung@trendforcecom。

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TrendForce:需求淡季,預估2022年第一季DRAM價格跌幅約8~13%

2021/12/13

半導體

根據TrendForce表示,觀察第四季各終端產品的出貨表現,由於先前長短料窘境有所緩解,使筆電的出貨總數與第三季大致持平。有鑑於此,隨著PC OEMs端的DRAM庫存週數有所下降,促使TrendForce進一步收斂明年首季的價格跌幅。但是,由於明年首季需求面將走入淡季,因此DRAM均價仍維持下跌趨勢,預估跌幅為8~13%,而後續的價格跌幅是否收斂則有賴庫存壓力能否舒緩,以及採購端對於後續價格變化上的預期性心理而定。 PC OEM庫存去化略有成, PC DRAM價格跌幅獲得收斂 來自於Chromebook的需求已呈現明顯的衰退,但消費型與商務用的機種仍顯得強勁。此外,由於先前短缺的部分零組件交期已開始改善,預估第四季的筆電出貨量優於預期。展望明年第一季,由於需求走入淡季,且來自於2021年第四季的高基期,sufficiency ratio將進一步上升超過30%,DRAM價格仍處於明顯的下行走勢,惟PC OEMs庫存會由先前的11~13周部分去化有成,故預期將有助DRAM價格跌幅收斂。而由於mobile DRAM價格也開始下跌,因此部分供應商已著手將mobile DRAM產能轉向server與PC DRAM領域,合理推估PC DRAM供給量短期內也會同步升高。惟前述來自需求的正向因素將有助於價格跌幅的縮減,但仍無法扭轉價格下行的走勢,其中DDR4將下跌5~10%;DDR5則會下跌3~8%,然其滲透率仍低,因此對於整體價格影響仍不顯著。 買方採購動能減緩,Server DRAM價格跌幅約8~13% 目前雲端服務供應商(CSP)客戶手中的server DRAM庫存普遍落於6~9週,而enterprise客戶更達8~10週,相較第三季底雖有小幅下降,但對整體拉貨動能的挹注有限,故在買方評估在價格尚未跌落底之前,採購意願仍顯保守。而原廠的庫存在2021下半年需求動能削弱下有逐漸增高的趨勢,尤其部分原廠擴增server DRAM投片使得產出增加。此外,價格下行雖為買賣雙方一致的共識,但隨著供應鏈長短料問題逐漸改善,並伴隨Tier1業者在淡季減少拉貨力道,能連帶促使Tier2客戶先前受到Tier1排擠的訂單需求受到滿足,成為長料(server DRAM)採購力道的支撐。因此,預期明年第一季server DRAM跌幅將落在8~13%,應為2022全年跌幅最深的一季。 供過於求狀況加劇,Mobile DRAM價格跌幅約8~13% 第四季受到mobile DRAM原廠積極求售的影響下,智慧型手機品牌廠在年末仍維持9~11週的高庫存。展望2022年第一季,除市場即將迎來週期性淡季外,處理器套片的供應問題以及疫情干擾等因素,都將使該季生產表現呈現10%以上的衰退,意味著品牌端採購策略將更為謹慎,以避免繼續堆高庫存。受到品牌生產目標調降影響,目前對於mobile DRAM的需求較2021上半年疲軟,導致供過於求的現況加劇,亦同時反映在原廠持續升高的庫存水位。整體而言,伴隨高庫存以及供過於求的態勢,將使智慧型手機品牌對於明年首季生產及入料計畫更嚴謹。在原廠提出今年第四季與明年首季合併議價的銷售策略,以及買賣雙方的庫存壓力下,預估明年第一季mobile DRAM價格將再跌8~13%。 需求端好轉及現貨領漲,Graphics DRAM價格將持平 近期graphics DRAM的終端應用有較明顯的需求好轉,然該產品波動性相當高,加上虛擬貨幣價格的劇烈波動與NVIDIA及AMD隨時可調整的銷售策略(bundle或de-bundle),都會使graphics DRAM需求有快速起落的特性。目前三大DRAM原廠的graphics DRAM供貨生產主要都以GDDR6為主,若更深入探究顆粒別,供應商已逐漸把重心從8Gb轉往16Gb,其中以美光最為積極。然現下主流顯卡仍以搭載8Gb為主,也是促使市場對於8Gb有加大拉貨的原因。此外,GDDR5與GDDR6 8Gb現貨價格有著相當劇烈的波動,使得目前現貨與合約幾乎無價差,部分交易更是有現貨價高於合約價的情形,顯示市場已出現追買的氣氛。在上述需求端好轉、美光減少8Gb供應、現貨領漲的情況下,整體市場呈現不易下跌的氛圍,預估明年首季graphics DRAM價格將大致持平。 Consumer DRAM DDR3供給減少仍難逃跌勢,跌幅約3~8% 由於明年首季原本就屬消費性電子產品的相對淡季,加上各國陸續解封之下,以電視為首的相關需求仍將維持低迷,恐將導致consumer DRAM需求較為疲軟。此外,供應鏈的長短料問題仍在,採購對於相對長料的DRAM備貨意願恐不高。2021上半年DDR3大幅漲價使得原廠今年轉換的步調相當緩慢,但目前市場跌價壓力擴大,以兩大韓系廠商為首,明年將重新回歸把成熟的DDR3轉向CMOS Image Sensor或其他邏輯IC產品。就價格面來看,DDR4受到以PC DRAM為首的需求疲弱,第四季價格已然轉跌,預估在現貨合約價差仍大的情況下,明年首季的合約價格跌幅將持續下探,故與其連動性高的consumer DRAM中的DDR4亦將受到牽連,預計跌幅達5~10%。而DDR3雖然供給逐漸減少,但價格同樣難逃跌勢,其中以4Gb走跌幅度較大,而2Gb相對較緩,跌幅平均約3~8%。 若有興趣進一步了解並購買TrendForce旗下半導體研究處相關報告與產業數據,請至https://wwwtrendforcecomtw/research/dram查閱,或洽詢業務鍾小姐lattechung@trendforcecom。

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TrendForce:預估2022年DRAM產值達915億美元,下半年起可望扭轉跌價態勢

2021/11/04

半導體

根據TrendForce研究顯示,2022年的DRAM供給位元成長率約186%,然而由於目前買方庫存水位已偏高,加上2022年需求位元成長率僅171%,明年DRAM產業將由供不應求轉至供過於求。儘管DRAM價格將因供過於求而出現下滑,但在寡占市場型態下,整體產值並不會大幅下跌,預估2022年的DRAM總產值將達9154億美元,年增微幅上升03%。 TrendForce以明年各季度的供過於求比例(以下稱:sufficiency ratio)作為預測基礎,預期DRAM平均銷售單價將年減15%,而價格下滑幅度在上半年較為明顯;下半年起將受惠於DDR5的滲透率提升與旺季需求效應帶動,均價跌幅將收斂,不排除有持平或漲價的可能性。 高層數產品競爭者眾,NAND Flash明年產值再增74% NAND Flash方面, 2022年供給位元年增長率約318%;而需求位元年成長幅度為308%,故明年NAND Flash價格也將受供過於求影響而有所下滑。此外,由於NAND Flash屬完全競爭市場,均價下滑的幅度較DRAM更加明顯,然NAND Flash在層數結構的堆疊持續推進,故在供給位元成長仍維持在30%以上的情況下,預估2022年NAND Flash總產值仍有成長空間,達7419億美元、年增74%。 同樣以明年各季度的sufficiency ratio作為預測基礎,推估2022年平均銷售單價將年減180%,而價格下滑幅度也是在上半年度較為明顯,下半年起將受惠於旺季需求效應帶動,均價跌幅較為收斂,或有單季價格持平的可能性。 整體而言,DRAM與NAND Flash歷年的總產值變化,由於兩者競爭型態的不同,DRAM基本上在產能擴張上較有紀律,故長期均價的波動性較小,同時20nm以下製程微縮已經逐漸達到物理極限,使得年度位元成長增幅有限;而NAND Flash在產能擴張的規劃則較不穩定,再加上產品的層數仍能持續提升,故長期均價的波動性較大,進而呈現DRAM產值成長幅度不及NAND Flash的態勢,但獲利表現方面則反之。 資本支出持續拉高,產值若無法跟進成長,恐壓抑廠商獲利能力 從資本支出來看,DRAM方面,近年來其整體資本支出對營收占比(以下稱:CAPEX to sales ratio)逐漸升高有兩大原因,首先,由於DRAM的製程微縮已經逐漸面臨物理極限,在20nm製程以後,除了美光(Micron)1alpha nm仍造就有近30%的單晶圓位元成長外,其他從1Xnm轉至1Ynm、或者1Ynm轉至1Znm製程,成長已經收斂至15%以內。2022年三星(Samsung)與SK海力士(SK hynix)的最先進製程將正式導入關鍵機台EUV,而該機台的生產交期長且造價高昂,使得三大原廠紛紛提前提撥大筆的資本支出,以因應EUV的前置訂單。 其次,由於DRAM已形成寡占市場型態,即便偶爾出現均價下跌周期,也因為供應商的生產秩序形成,銷售均價難以跌破總生產成本(fully loaded cost),故DRAM原廠能夠逐漸累積來自該產品的生產獲利。由於製程轉進不易,除三大原廠以外,市占較小的南亞科(Nanya Tech)、華邦(Winbond)等廠商皆有實際擴產計畫,成為DRAM 市場CAPEX to sales ratio持續升高的另一大原因。 NAND Flash方面,其CAPEX to sales ratio自2017年轉進3D NAND技術以來即有顯著提升,該年之前平均達25~30%,目前提升到平均近40%。主因是隨著3D堆疊層數的上升,除了拉長產品生產所需時間,對於蝕刻難度、精準度的要求也一併提升,主流層數正朝向1YY層世代邁進,供應商同時開始研發2XX層產品技術,對於單次蝕刻深度的要求不斷增加,顯示出該產業所需的資本支出總額隨著層數提升、產值增加而持續成長。 TrendForce表示,由於NAND Flash堆疊層數的技術推進,未來供應商仍將持續追求推進更高層數,以降低每GB的生產成本。因此,預期該產業的資本支出仍有增長空間,且CAPEX to sales ratio將維持在接近40%或以上。值得注意的是,若未來數年產值無法跟進支出的成長速度,恐將造成CAPEX to sales ratio過度上升,進而壓抑供應商獲利能力。 若有興趣進一步了解並購買TrendForce旗下半導體研究處相關報告與產業數據,請至https://wwwtrendforcecomtw/research/dram查閱,或洽詢業務鍾小姐lattechung@trendforcecom。

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