TrendForce顯示AI應用促使Server對DRAM需求增加，導致產能緊張。三星、SK hynix與美光計劃擴大DRAM生產以應對未來幾年需求，預期2026年DRAM市場仍供不應求。
3Q25 DRAM市場價量齊揚，雲端服務商積極採購及高頻寬記憶體擴張為主要動能。原廠庫存水位低，預期4Q25合約價將大幅加速上漲，各廠利潤率顯著提升。
DRAM合約價續漲，供應商惜售，PC廠供貨受限。現貨交易萎縮，模組價看漲。各應用端庫存普遍下降，尤其中國雲端服務商、企業級伺服器廠及手機品牌廠，行動DRAM價格漲幅可觀。
AI與資料中心帶動先進記憶體需求高漲，產能瓶頸推升以晶圓為定價錨；HBM仍緊俏但議價分化，原廠在DDR5與HBM間動態調配，追加需求不排除轉向漲價。
記憶體進入強勁上行期，帶動整機BOM cost明顯攀升。為維持基本獲利，品牌調整高中低階產品結構並分層上調終端售價。記憶體翻漲疊加宏觀經濟疲弱，雙重逆風將壓抑2026年消費型終端的生產出貨動能。
CXMT憑藉擴產與良率提升，2026年位元產出年增幅度再度奪冠。其主力產品為mobile DRAM，與中國作為全球最大smartphone生產基地所需的DRAM產品高度契合。在中國補貼政策助力與韓美原廠轉產造成的LPDDR4X供給缺口帶動下...
4Q25 smartphone用mobile DRAM預估要到11月中旬後才得以全面議定；NAND Flash報價相對明朗。受到產能吃緊影響，mobile DRAM在不同應用領域的價差正在收斂。展望後勢，整體記憶體結構性短缺恐延續至2026年底。
伺服器DRAM價格預計大幅上漲，因原廠供給緊張及雲端服務商強勁需求。為確保供給，客戶積極洽談長期合約，激勵原廠擴大產能投資。原廠將生產重心轉向高利潤的DDR5。市場預期供不應求將持續，大規模新產能需數年方能投...
DRAM市場因雲端服務商與AI需求強勁，供給吃緊導致價格持續飆升，合約與現貨價皆顯著上揚。原廠庫存降至低點，正積極擴大資本支出並與客戶洽談長期供應，預計雙位數漲勢將延續。
AI引領記憶體需求激增，促使資本支出預期上修。然而，由於無塵室空間有限及投資重心轉向先進製程、高附加價值產品，而非單純擴增產能，導致未來位元產出增長將顯保守。設備商普遍看好AI驅動需求，但記憶體技術門檻正...
DRAM合約價與現貨市場皆顯著上漲，供不應求態勢加劇。儘管未來資本支出增加，但因聚焦先進製程與高附加價值產品，傳統位元產出成長仍受限。
4Q25 Mobile DRAM合約價因供需緊張與原廠競價而顯著上揚，尤以smartphone應用漲幅顯著。此上揚格局預計延續至2026年，近期DRAM價格上漲劇烈，恐導致終端產品面臨售價上調的壓力。
伺服器DRAM受CSPs持續追加需求驅動，原廠議價能力強化，4Q25價格漲幅預估上修至28-33%。CSPs為確保長期供應，已洽談2027年LTA，鼓勵原廠擴產，預期價格將持續走高。
受原廠供給緊俏及PC OEM策略性採購影響，2025年第四季PC DRAM合約價預估漲幅上修至25-30%，現貨價亦大幅上揚，顯示市場供需失衡。
CSP需求與恐慌性備貨促使記憶體全產品報價飆升，市場轉為賣方。消費性記憶體因大廠退出及產能排擠，明年供給將更緊缺，合約價全年預期持續上揚。
