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DRAM/NAND Flash 2026 資本支出：AI 引領上修，產能仍受限
發佈日期
2025-11-07
更新頻率
不定期
報告格式
AI引領記憶體需求激增，促使資本支出預期上修。然而，由於無塵室空間有限及投資重心轉向先進製程、高附加價值產品，而非單純擴增產能，導致未來位元產出增長將顯保守。設備商普遍看好AI驅動需求，但記憶體技術門檻正持續提升。
重點摘要
- AI需求強勁，正推動記憶體產業資本支出預期上修，儘管初期展望略顯保守。
- DRAM投資聚焦於先進製程與HBM相關產能擴建，但現有潔淨室空間不足，限制了位元產出擴增。
- NAND Flash資本支出轉向混合鍵合技術與高層數堆疊，各供應商擴產策略存在差異。
- NAND Flash需求受AI儲存與雲端服務供應商轉單影響，形成結構性短缺，但廠商擴產態度仍審慎。
- 記憶體設備供應商普遍看好AI驅動的強勁需求，並強調先進記憶體技術的複雜性與高門檻。
- 整體產業投資重心已從傳統位元產能擴張，轉向製程升級與高附加價值產品，導致未來位元增長將有限。
目錄
- AI引領記憶體浪潮，當前對2026年資本支出仍顯保守，後續將出現上修
- Major DRAM and NAND Flash Suppliers’ Respective Capex Figures
- DRAM資本支出概況–以1C/1 gamma轉進與HBM相關產能擴建為主
- DRAM Industry’s Annual Capex and Supply Bit Growth
- DRAM Suppliers’ Fab Expansion Plans
- NAND Flash資本支出–整體水位仍顯得保守，以高層數與QLC為優先
- NAND Flash Industry Capex and Supply Bit Growth
- 設備商一致看好AI驅動需求；記憶體未來的技術門檻持續提升
- 投資轉向先進技術，DRAM與NAND Flash於2026年位元增長有限
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報告分類: DRAM , NAND Flash , AI Server/HBM/Server
