2026年HBM3e市場面臨供過於求壓力，Samsung HBM3e產品驗證進展可能帶動產能提升，價格有下滑壓力。HBM4技術門檻高且成本較高，預計將有價格溢價與市占競爭，NVIDIA供應集中態勢明顯，未能搶占HBM4市占者將承受價格壓...
2Q25全球smartphone生產總數約3億支，季增4%，年增4.8%。品牌市占方面，Samsung穩居第一，受惠於A系列需求穩健及因應美國關稅積極備貨，生產表現較去年同期提升。Apple排名全球第二，雖在中國受Huawei回歸與AI議題失...
受中國國補與市場需求帶動，中芯國際及華虹集團產能利用率提升，營收保持穩健增長，新增產能陸續投產，Nexchip多元平台發展成效顯現，預期未來晶圓出貨及營收將持續成長。
三星本季加速高價值NAND Flash技術推進，把握AI與數據中心需求回升，企業級SSD成長顯著，帶動庫存去化。然受經濟及終端需求轉弱，預期NAND Flash市場整體復甦動能仍有限。
合約市場談判以三星壓力較大，現貨因供應緊張未跌；三星法說會聚焦HBM3e供過於求，價格或下滑，雖然成熟DRAM將漲價，三星仍優先投資先進製程與HBM，策略未因市況變動而改變。
受通信標案與供應端調整帶動，SLC/MLC NAND Flash合約價持續上揚。SLC受工控、通訊及新航太需求支撐穩居利基，MLC因供給縮緊價格續漲。AI、通訊等應用增溫，有利未來市場價格維持上升。
受供應減少及供應商間競價追逐的雙重影響，3Q25 LPDDR4X合約價格漲幅再度擴大；LPDDR5X則在市場情緒帶動下同樣出現上揚，惟漲幅相對溫和。然而，價格的大幅波動進一步加重成本壓力，對低階手機市場的衝擊尤為明顯；...
Samsung因美國政策推動重啟美國新廠擴建，時程與產能增幅仍具不確定性；2奈米訂單進度受良率及客戶決策影響，未來發展仍需觀察。
MRDIMM技術因應高核心數CPU與AI運算需求，優化記憶體傳輸效能，將助力新世代伺服器發展，惟目前標準未定、成本高與平台支援有限，市場滲透尚待提升。
今年第三季手機市場需求疲弱，品牌新品備貨保守，供應鏈出貨動能低迷。美中貿易協議及中東和平帶動消費信心回升，但關稅與經濟不確定因素仍影響市場。AI相關產品訂單成為主要成長動力，供應商持續管控產能與庫存謹慎...
2025年第二季PC DRAM合約價持續上漲，供需變化使DDR4價格漲幅高於DDR5，原廠減供及市場提前備貨推升價格，3Q25 DDR4甚至超越DDR5。Nanya供應增加也帶動整體市價上揚。
受AI邊緣裝置與工控需求強勁影響，6月SLC、MLC NAND Flash合約價格持續上漲。SLC因高耐用特性，於智慧能源等新興應用需求強勁，維持價格支撐。MLC則受供應收緊影響，上漲顯著，預期價格後續續揚。
晶圓代工市場更新：三星產能利用率穩定，客戶因應策略調整供應鏈；中國晶圓廠發展持續，新製程與區域產能佈局為重點。
根據全球市場研究機構集邦科技TrendForce最新調查表示，川普政府的一系列關稅政策，對於高度集中中國的smartphone產業帶來深遠影響...
根據全球市場研究機構集邦科技TrendForce調查顯示，在AI席捲全球的今日，對於儲存裝置的效能需求亦水漲船高...
