1Q26受AI強勁需求驅動,NAND Flash開啟超級週期。原廠嚴控產能並優先供應企業級產品,完全掌握定價權,導致全線價格顯著上揚。儘管消費終端疲弱,但在結構性短缺下,漲勢將延續,迫使買方接受高價,供應鏈面臨成本與...
2026年全球經濟在關稅與通膨壓力下放緩,AI雖成ICT成長主軸,卻造成產能排擠與成本飆升,記憶體、PCB等關鍵元件漲價,手機、筆電被迫調價,恐抑制終端需求。供應鏈出現AI高階產品滿載與消費性產品產能受抑的兩極結構...
2026年伺服器市場受惠於美中CSP強勁需求,AI伺服器出貨將顯著增長。NVIDIA與Google自研晶片為主要動能,帶動液冷技術普及。通用型伺服器亦迎來換機潮,惟需留意PCB等關鍵零組件長交期帶來的供應鏈瓶頸。
Smartphone市場自2H25起落入記憶體供給吃緊、價格瘋漲導致終端價格上調、需求轉弱的閉環;面對此等不利環境,smartphone品牌將以下修產量、調整規格與價帶因應。當前品牌暫未明顯下修1Q26生產目標,但若需求衰退幅度...
國際大廠轉攻先進製程並退出MLC市場,導致供給斷層與價格上揚。然工控與車用等高可靠度需求仍存,使其轉為高毛利利基產品。旺宏藉此趨勢減產NOR Flash以擴充MLC供應,填補市場缺口並優化產品組合,確立關鍵供應商地...
Samsung 2026年聚焦先進製程,產能利用率將滿載;SMIC因需求熱絡全面調漲八吋與記憶體代工價;HuaHong擴充產能並推進特色製程平台;GlobalFoundries開發車用BCD與22nm Bulk CMOS新技術爭取訂單;Nexchip受惠國產替代...
受AI強勁需求驅動,記憶體產業轉為賣方市場。原廠產能大幅向高毛利伺服器傾斜,導致消費端供應嚴重排擠與庫存告急。在結構性供需失衡下,原廠惜售推升價格,消費電子面臨備貨困難與產品降規壓力,預期此供不應求態勢...
受惠於原廠轉進新製程導致DDR4供給受限與惜售心態,加上現貨價走強,推升Consumer DRAM合約價顯著上揚。DDR3雖需求較弱,但因產出縮減且比價效應,價格同步走高。展望未來,高容量現貨強勢將支撐合約價於下一季持續...
伺服器DRAM因原廠庫存見底與AI強勁需求,合約價格大幅飆升。HBM產能擴張排擠一般DRAM供給,導致市場嚴重供不應求。原廠優先滿足主要CSP客戶,部分客戶合約量遭削減。預期未來季度價格將持續顯著上漲,買方為確保貨源...
DRAM市況在三星領頭下,合約價漲幅顯著,以Server DRAM為首。現貨市場無視年底盤點持續走強,DDR4供應緊缺。原廠庫存低位掌握議價權;買方除部分頭部大廠外,普遍面臨庫存下滑與搶貨困境,供應鏈缺貨與分配不均態勢...
2025年末PC DRAM合約價展現強勁漲勢,漲幅顯著擴大。原廠因產能吃緊實施策略性供貨,優先滿足戰略客戶,導致依賴模組廠之OEM成本結構大幅墊高。漲價預期驅動備貨需求,賣方市場確立下,預估下一季度價格漲勢將進一步...
2025年受美中貿易政策影響,全球經貿成長趨緩。AI自研晶片需求帶動高階MLCC需求增加,日韓廠擴產謹慎,台陸廠守低價策略,市場需求兩極化顯著。消費性電子產品需求疲弱,供需調節成為主要目標。
受惠AI伺服器強勁需求,原廠產能轉向高利潤產品,導致其餘應用面臨嚴重缺貨,推升合約與現貨價格。目前供應端庫存處於低檔,市場重回賣方主導;PC與手機端庫存因供貨受限而下滑,僅雲端大廠維持戰略備貨,預期在產能...
1Q26受AI伺服器強勁需求驅動,記憶體產業確立賣方市場。原廠產能重押高毛利伺服器應用,導致供給結構性短缺。PC與消費端雖處淡季,仍因產能排擠效應面臨缺貨,DRAM與NAND Flash全線產品價格將顯著上揚。
展望2026年,AI基礎建設持續推進帶動通用伺服器需求。北美雲端業者維持高資本支出,驅動NVIDIA新平台與自研晶片發展,支撐市場成長。儘管二線業者存在變數,大型公有雲需求穩健,推升ODM廠AI營收占比,並鞏固液冷解...