北美CSP擴大資本支出驅動AI伺服器需求，NVIDIA與自研晶片雙軌並進。鴻海等ODM廠受惠整櫃訂單，並加速美墨產能擴張以強化在地交付。電源散熱大廠台達電與光寶科則因應高算力密度，積極朝高壓直流架構、液冷技術及系統級整櫃整合方案轉型。
4Q25 Mobile DRAM 營收在合約價大漲帶動下，單季規模首度衝破百億美元，季增逾三成。1Q26 進入淡季，位元需求將縮減，不過在合約價明顯上調下，營收仍有望再創高點。市場結構方面，Samsung、SK hynix、Micron 搭配中系 CXMT 已形成高度集中的四強格局；台系 Nanya 與 Winbond 則受惠於大廠退出小容量市場，營收大幅成長，但總體占比仍有限。
農曆年後合約價確立漲勢，尤以DDR5領漲，行動記憶體亦有補漲可能。雖消費電子因成本高漲導致需求下修，且現貨市場觀望氛圍濃厚，但受惠於AI與伺服器強勁需求，加上無塵室受限使新增產能推遲，整體結構性供貨吃緊態勢將延續至長期。
2025 年全球 smartphone 生產表現呈溫和成長；其中Samsung 與Apple 市占並列第一。不過，隨記憶體價格大幅上揚，2026年整體生產規模將明顯下修，品牌因產品結構不同，將呈現兩極分化。整體而言，記憶體超級漲價周期將成為重塑2026年全球smartphone市場版圖的關鍵變數。
受惠AI強勁需求與供給缺口，韓系原廠上修正式報價，帶動伺服器記憶體合約價上修。儘管產能由消費端轉移，供給增速仍落後需求。為確保長期貨源，客戶於長約談判中納入價格下限機制。
受農曆春節影響，二月利基型DRAM交易轉淡，合約價漲勢收斂。雖買方觀望並消化庫存，但主要供應商產能轉向高階導致舊世代供給短缺，現貨溢價結構未變。在供應吃緊且節後需求有望回溫下，價格具支撐，後市維持看漲格局。
本季PC DRAM合約價飆升，漲幅較前期顯著擴大。雖筆電全年出貨預估遭下修，但整機漲價預期推升短期通路需求，導致品牌廠庫存下滑並轉向模組廠搶貨。原廠報價一致走高，且優先供貨給品牌廠，導致對模組廠供給受限，推動顆粒合約價延續強勁漲勢，現貨市況則暫時盤整。
受庫存見底與AI需求外溢至通用伺服器影響，4Q25 DRAM營收成長主要由合約價飆升驅動，三星重返市占龍頭。因供需失衡持續，台廠亦受惠於成熟製程轉單。展望1Q26，淡季供給更緊俏，預期合約價漲勢將進一步加速，成為漲幅最顯著季度。
DRAM市場呈現供不應求，原廠庫存低且議價權強勢，帶動合約價上揚，尤以PC與伺服器端顯著。現貨漲勢因與合約價差大而趨緩。買方為保貨源多願接受漲價，惟模組廠獲利恐遭壓縮；僅手機端庫存相對穩健，整體市場為賣方主導態勢。
展望2026年，全球主要CSP持續擴大資本支出建設AI基礎設施，聚焦高密度GPU機櫃與自研ASIC以優化成本。北美四大業者領頭導入NVIDIA及自研晶片，推升AI伺服器與ASIC佔比。OEM端如Dell及IEIT則在激烈的同業競爭與地緣政治挑戰下，積極佈局AI方案爭取市占。
產業新聞
