DRAM合約價與現貨市場皆顯著上漲，供不應求態勢加劇。儘管未來資本支出增加，但因聚焦先進製程與高附加價值產品，傳統位元產出成長仍受限。
4Q25 Mobile DRAM合約價因供需緊張與原廠競價而顯著上揚，尤以smartphone應用漲幅顯著。此上揚格局預計延續至2026年，近期DRAM價格上漲劇烈，恐導致終端產品面臨售價上調的壓力。
伺服器DRAM受CSPs持續追加需求驅動，原廠議價能力強化，4Q25價格漲幅預估上修至28-33%。CSPs為確保長期供應，已洽談2027年LTA，鼓勵原廠擴產，預期價格將持續走高。
受原廠供給緊俏及PC OEM策略性採購影響，2025年第四季PC DRAM合約價預估漲幅上修至25-30%，現貨價亦大幅上揚，顯示市場供需失衡。
CSP需求與恐慌性備貨促使記憶體全產品報價飆升，市場轉為賣方。消費性記憶體因大廠退出及產能排擠，明年供給將更緊缺，合約價全年預期持續上揚。
AI伺服器領航成長，雲端擴建推升ODM與散熱鏈。雲商擴GB機櫃與自研晶片並進；AMD放量、Google TPU走強。液冷由L2A轉向L2L，Auras與Fositek加速擴產與整合，供應鏈從機櫃到冷卻系統全面升溫，市場動能延續。
供應鏈瓶頸與製程轉換壓縮供給，企業級SSD排擠效應加劇，eMMC與UFS在需求疲弱下仍上漲，賣方握有議價權，價格動能可望延續至明年下半年。
關稅與政策使早期需求保守，然雲端擴張與AI投資推升記憶體需求與報價，DRAM供應轉緊。DDR5漲勢確立、獲利有望超越HBM3e，供應商產能與價格策略將重塑市場格局。
Micron 因產能策略調整，優先高毛利產品，壓縮標準 DRAM 供應，導致其報價大漲，SK hynix 則較溫和。現貨市場 因需求強勁、庫存惜售而價格上揚，供需持續緊張。
全球AI伺服器市場持續成長，大型雲端供應商加速基礎設施佈建與平臺升級，NVIDIA與自研ASIC拉貨動能提升，區域因素與跨國佈局激勵新技術與策略調整。
