2027年DRAM與NAND Flash供需將出現分歧；在 AI server 強勁拉貨下，DRAM缺口將進一步擴大；反之，NAND在消費端需求疲弱與製程轉進帶動位元產出增加下，sufficiency ratio有望由負轉正，並於2H27面臨價格修正壓力。不過，若僅有NAND價格回落，對消費型產品整體成本的舒緩仍相當有限。整體而言，2027年價格走勢仍充滿變數。
長期合約與伺服器 demand 為合約市場奠定基石，價格穩定，惟消費端受成本擠壓致拉貨保守。現貨市場因個別業者掃貨短暫止跌，但整體買氣低迷。長期來看，新產能釋出與技術升級將推動市場趨於供過於求，須仰賴 AI Agent 落地帶來新成長動能。
受惠於人工智慧基礎建設，伺服器儲存需求獨強，原廠將產能與先進製程全面向其傾斜。相對地，消費性電子因成本高企、通膨及供應受擠壓而需求疲弱。合約市場漲幅因買方抵制而顯著收斂，現貨市場持續低迷，整體市場供需呈現兩極化發展，合約價邁向高原期。
記憶體大廠將產能全面轉向高附加價值先進製程，導致成熟製程產能嚴重收縮。此結構性轉變引發原傳統製程晶片嚴重缺貨，迫使工業與車用等客戶在MLC供應極缺下，改以SLC作為替代方案。在需求外溢與供給斷層雙重衝擊下，預期下半年SLC晶片價格將迎來爆發性結構性上漲，市場規模由出貨量驅動轉為價格驅動。
記憶體原廠產能優先滿足高效能需求，使消費端面臨成本極限而產生抵制，導致3Q26合約價漲幅收斂步入高原期，現貨市場亦因買盤疲弱而走跌。大廠財報與展望表現強勁，反映出新興科技對大容量儲存的結構性需求將長期超越供給，並透過長期協議鎖定獲利，驅動市場轉型。
受惠AI伺服器需求，第三季記憶體合約價維持漲勢。惟受基期已高、消費電子端成本達極限與需求下修影響，整體漲幅將收斂。
晶圓合約價格攀升至歷史高點，嚴重擠壓下游模組廠獲利。在消費性終端需求疲弱的制約下，買方拒絕追價並轉向保守防禦策略，使市場漲勢全面停滯，呈現價高量縮與高檔橫盤整理格局。雖有少數稀缺品項微幅補漲，但主流大容量產品價格近乎凍結，短期內缺乏進一步拉升空間。
受到人工智慧、智慧車載與網通基礎建設需求帶動，記憶體市場呈現結構性缺貨。原廠產能傾斜先進製程，導致成熟製程產出停態，推升整體合約價格穩步邁向歷史新高，未來第三季傳統備貨旺季供需失衡恐將持續加劇。
2Q26 smartphone 記憶體議價結果再現大幅漲價。連續數季的高額調漲已讓終端品牌無力承價，進而影響終端生產表現；預估3Q26將呈現旺季不旺的局勢。現貨端因成本高、買方卻步與價格認知落差，成交量大幅萎縮。品牌端備貨策略放緩，以維持金流穩定。
消費類電子因上半年提前拉貨，下半年面臨旺季不旺且合約價漲幅收斂。現貨市場因供需價格認知差異陷入僵局。供應商透過嚴控產能及雲端需求維持極低庫存與議價優勢；PC、模組及手機廠受需求不振與零組件短缺影響，採購轉趨保守；雲端服務商則因應AI需求持續積極備貨，成為市場主要支撐。
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