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Smartphone市場快訊 - 2026年7月23日
發佈日期
2026-07-23
更新頻率
每二周
報告格式
2027年DRAM與NAND Flash供需將出現分歧；在 AI server 強勁拉貨下，DRAM缺口將進一步擴大；反之，NAND在消費端需求疲弱與製程轉進帶動位元產出增加下，sufficiency ratio有望由負轉正，並於2H27面臨價格修正壓力。不過，若僅有NAND價格回落，對消費型產品整體成本的舒緩仍相當有限。整體而言，2027年價格走勢仍充滿變數。
重點摘要
- 2027年DRAM在AI server強勢帶動下，位元需求增速續高於供給，賣方市場與高價格局延續。
- NAND Flash因消費需求疲弱與製程升級推高位元產出，2027年sufficiency ratio由負轉正，預估2H27起將面臨價格修正壓力。
- 2027年smartphone供應鏈持續面臨Mobile DRAM緊缺與高價成本壓力，即便NAND Flash價格鬆動，對整體BOM cost的緩解有限。
- 2027年DRAM/NAND價格走勢充滿變數，AI發展、原廠擴產計劃等，都將影響後勢發展。
目錄
- Key Point
- Market Update
- DRAM and NAND Flash Sufficiency Ratios
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報告分類: 智慧手機 , DRAM , NAND Flash
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