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2024/04/10
根據TrendForce於403震後對DRAM產業影響的最新調查，各供應商所需檢修及報廢晶圓數量不一，且廠房設備本身制震能力均能達到一定的抗震效果，因此整體衝擊較小。美光、南亞科、力積電、華邦電等，均大致恢復100%的產線運作，其中僅有美光已經轉進至先進製程，多為1alpha與1beta nm，預估對整體DRAM產出位元占比影響較高；其餘台灣DRAM廠仍停留在38、25nm，產出占比相對小。整體而言，預期本次地震對第二季DRAM產出位元影響仍可控制在1%以內。
2024/04/03
台灣東部海域於4月3日早上7時58分發生規模芮氏規模7.2地震，根據全球市場研究機構TrendForce於第一時間調查各廠受損及運作狀況指出，DRAM產業多集中在北部與中部，Foundry產業則位於台灣北中南三地區，今日上午北部林口地區地震最大約4到5級間，其他地區地震約在4級左右，各廠已陸續進行停機檢查。儘管檢查尚未結束，但目前為止各廠都沒有發現重大的機台損害。
2024/03/26
目前觀察DRAM供應商庫存雖已降低，但尚未回到健康水位，且在虧損狀況逐漸改善的情況下，進一步提高產能利用率。不過，由於今年整體需求展望不佳，加上去年第四季起供應商已大幅度漲價，預期庫存回補動能將逐漸走弱。因此，TrendForce預估， 第二季DRAM合約價季漲幅將收斂至3~8%。
2024/03/18
由於HBM售價高昂、獲利高，進而造就廣大資本支出投資。據TrendForce資深研究副總吳雅婷預估，截至2024年底，整體DRAM產業規劃生產HBM TSV的產能約為250K/m，占總DRAM產能（約1,800K/m）約14%，供給位元年成長約260%。此外，2023年HBM產值占比之於DRAM整體產業約8.4%，至2024年底將擴大至20.1%。
2024/03/13
據TrendForce資深研究副總吳雅婷表示，目前2024年HBM（High Bandwidth Memory）市場主流為HBM3，NVIDIA新世代含B100或H200的規格則為最新HBM3e產品。不過，由於AI需求高漲，目前輝達（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應緊俏，除了CoWoS是供應瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產周期較DDR5更長，投片到產出與封裝完成需要兩個季度以上所致。
2024/02/05
2024年市場持續聚焦AI議題，供應商也陸續推出AI高階晶片，隨著運算速度的提升，TrendForce表示，2024年DRAM及NAND Flash在各類AI延伸應用，如智慧型手機、伺服器、筆電的單機平均搭載容量均有成長，又以伺服器領域成長幅度最高，Server DRAM單機平均容量預估年增17.3%；Enterprise SSD則預估年增13.2%。而AI智慧型手機與AI PC的市場滲透率預期應會在2025年略有明顯成長，屆時將再帶動平均單機搭載容量同步上升。
2024/01/19
據TrendForce研究顯示，DRAM產品合約價自2021年第四季開始下跌，連跌八季，至2023年第四季起漲。 NAND Flash方面，合約價自2022年第三季開始下跌，連跌四季，至2023年第三季起漲。在面對2024年市場需求展望仍保守的前提下，故漲勢延續均取決於供應商是否持續且有效的控制產能利用率。
2023/10/13
據TrendForce研究顯示，自第四季起DRAM與NAND Flash均價開始全面上漲，以DRAM來看，預估第四季合約價季漲幅約3~8%，而此波漲勢能否延續端看供應商是否持續堅守減產策略，以及實際需求回溫的程度，其中最關鍵的是通用型伺服器領域。
2023/08/30
TrendForce表示，預期2024年記憶體原廠對於DRAM與NAND Flash的減產策略仍將延續，尤其以虧損嚴重的NAND Flash是更為明確。預估在2024上半年消費性電子市場需求能見度仍不明朗，加上通用型伺服器的資本支出仍受到AI伺服器排擠而顯得相對需求疲弱下，有鑑於2023年基期已低，加上部分記憶體產品價格已來到相對低點，預估DRAM及NAND Flash需求位元年成長率分別有13.0%及16.0%。
