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據TrendForce最新HBM市場研究顯示，為了更妥善且健全的供應鏈管理，NVIDIA也規劃加入更多的HBM供應商，其中三星（Samsung）的HBM3（24GB）預期於今年12月在NVIDIA完成驗證。而HBM3e進度依據時間軸排列如下表所示，美光（Micron）已於今年7月底提供8hi（24GB）NVIDIA樣品、SK海力士（SK hynix）已於今年8月中提供8hi（24GB）樣品、三星則於今年10月初提供8hi（24GB）樣品。
據TrendForce研究顯示，自第四季起DRAM與NAND Flash均價開始全面上漲，以DRAM來看，預估第四季合約價季漲幅約3~8%，而此波漲勢能否延續端看供應商是否持續堅守減產策略，以及實際需求回溫的程度，其中最關鍵的是通用型伺服器領域。
TrendForce表示，預期2024年記憶體原廠對於DRAM與NAND Flash的減產策略仍將延續，尤其以虧損嚴重的NAND Flash是更為明確。預估在2024上半年消費性電子市場需求能見度仍不明朗，加上通用型伺服器的資本支出仍受到AI伺服器排擠而顯得相對需求疲弱下，有鑑於2023年基期已低，加上部分記憶體產品價格已來到相對低點，預估DRAM及NAND Flash需求位元年成長率分別有13.0%及16.0%。
根據TrendForce最新報告指出，記憶體原廠在面臨輝達（NVIDIA）以及其他雲端服務業者（CSP）自研晶片的加單下，故加大TSV產線來擴增HBM產能。從目前各原廠規劃來看，預估2024年HBM供給位元量將年增105%，不過，考量TSV擴產加上機台交期與測試所需的時間合計可能長達9~12個月，故TrendForce預估多數HBM產能要等到明年第二季才可望陸續開出。
根據TrendForce調查顯示，2023年HBM（High Bandwidth Memory）市場主流為HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數CSPs自研加速晶片皆以此規格設計。同時，為因應AI加速器晶片需求演進，各原廠再於2024年推出新產品HBM3e，預期HBM3與HBM3e將成為明年市場主流。
據TrendForce最新研究指出，受惠於DRAM供應商陸續啟動減產，整體DRAM供給位元逐季減少，加上季節性需求支撐，減輕供應商庫存壓力，預期第三季DRAM均價跌幅將會收斂至0~5%。不過，目前供應商全年庫存應仍處高水位，今年DRAM均價欲落底翻揚的壓力仍大，儘管供給端的減產有助季跌幅的收斂，然實際止跌反彈的時間恐須等到2024年。
據TrendForce研究顯示，目前高階AI伺服器GPU搭載HBM已成主流，預估2023年全球HBM需求量將年增近六成，來到2.9億GB ，2024年將再成長三成。
TrendForce認為，該情況將產生兩種影響，首先，由於僅MPS（芯源系統）供應的PMIC無狀況，DRAM原廠短期內將同步提升對芯源的採購比重。其次，目前原廠DDR5 Server DRAM生產仍停留在舊製程，短期內供給量難免受此事件影響，故預估第二季DDR5 Server DRAM價格跌幅將收斂由原預估15~20%收斂至13~18%。
在今年將有更多客戶導入HBM3的預期下，SK海力士作為目前唯一量產新世代HBM3產品的供應商，其整體HBM市占率可望藉此提升至53%，而三星、美光則預計陸續在今年底至明年初量產，HBM市占率分別為38%及9%。
