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TrendForce:美晶片法限制嚴苛將降低業者投資意願,中國半導體未來十年發展將受限


13 April 2023 半導體 敖國鋒 / 喬安 / 王豫琪

TrendForce表示,美國商務部近期基於《晶片法案》釋出補貼細則,其中明文規定獲補助者未來十年在中國、北韓、伊朗與俄羅斯等,將被限制包含先進製程與成熟製程在內的相關投資活動,且本次法案更新條款限制範疇將比出口禁令更廣泛,恐進一步降低跨國半導體業者未來十年在中國的投資意願。

晶片法衝擊台積電,供應鏈去中化使世界先進、力積電獲轉單

美近年陸續祭出的出口禁令、《晶片法案》等,使得供應鏈去中化影響程度加劇。以晶圓代工的供應端來看,回溯當時的出口禁令,雖以「非平面式電晶體架構」製程(16/14nm及更先進的製程)設備管制為主,但隨著日本、荷蘭陸續宣布將加入制裁行列,恐導致同時可用於生產16nm以下及40/28nm等成熟製程的關鍵曝光設備DUV immersion被劃入禁令範疇,再加上本次《晶片法案》限制,意即中系晶圓代工業者、跨國晶圓代工業者在中國的擴產計劃,不論是先進或成熟製程皆可能受到程度不等的抑制。

需求端方面,自2023年上半年開始,IC設計業者或因終端客戶要求、自主風險規避等因素,陸續轉單或新開案至台系晶圓代工業者,尤以成熟製程為生產主力的Tier 2、Tier 3業者如世界先進(VIS)、 力積電(PSMC)明顯受惠。TrendForce認為,對現階段遭庫存修正衝擊、產能利用率低落的晶圓代工廠無疑為一大助益,預期至2023下半年至2024年對產能利用率的挹注將更顯著。

TrendForce指出,台積電(TSMC)在本次更新的法案中首當其衝,主要是因其在中美兩地均有擴產計畫所致。目前台積電在中國的擴產以Fab16的28nm為主,且已於2022年啟動,擴產相關設備均已陸續移入,加上2022年十月後台積電已取得為期一年之相關設備進口許可,預計2023年中前將擴產完畢。不過,據《晶片法案》新細則來看,台積電獲美補貼後十年內,Fab16的16/12nm以及28/22nm產能擴充將受限,且當中85%產出須滿足中國當地市場需求,加上美出口規範要求跨國晶圓代工業者需申請設備進口許可證等,此將降低台積電未來在中國的投資意願。

記憶體擴產計畫以韓、美等地為主,中國產能占比將逐年下滑

DRAM供應方面,《晶片法案》新細則規定適用於18nm以上製程為主,以三大原廠標準而言約莫是1Xnm,然而各家DRAM主流製程已提升至1Znm以上,在原廠的推動下客戶也都陸續轉進,僅部分Consumer DRAM產品停留在1Xnm以下製程。考量Consumer DRAM需求占比僅有約8%,因此舊製程產線並無擴張計劃,且比重逐年式微。目前三大原廠僅SK海力士(SK hynix)在中國境內設有無錫廠,考量供給過剩與地緣政治等因素後,無錫廠DRAM產出比重已從48%降低至44%,而新廠則預計座落於韓國;三星(Samsung)與美光(Micron)在中國並無DRAM產能,未來擴產計畫將分別以韓國、美國兩地為主。TrendForce基於三大原廠的擴產計畫預估,在韓國DRAM產能比重持續上升的同時,中國DRAM產能占全球比例將逐年降低,預估2023~2025年中國DRAM產能占全球比重將從14%下滑至12%。  

NAND Flash供應方面,美國表示有限度的擴產僅適用於128層數以下製程為主,目前三星在西安廠仍以128層製程為主,西安廠產能占約占全球NAND Flash總產能17%;SK海力士收購的Intel大連廠產出占全球NAND Flash總產能約9%。不過,由於各家NAND Flash供應商即將邁向200層以上生產,低於128層的製程明顯無法與較高層次產品競爭,故三星及SK海力士應不會選擇擴張舊製程產線,未來擴產計畫也將建置在韓國或其他地區,中國NAND Flash產能擴張及製程升級將因此受限,預估2023~2025年中國NAND Flash產能占全球比重將從31%跌至18%。

需求方面,不論是DRAM或NAND Flash均面臨同樣狀況,由於許多美系廠已開始限制記憶體存儲產地,或要求代工廠將產線移出中國,以規避地緣政治風險。TrendForce表示,未來中國境內工廠將以滿足中國內需為主,其他市場則是非中國地區以外工廠生產為主,成為壁壘分明的兩種產地。

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