第三季手機和AI需求推動主力MLCC廠表現穩健；中低容產品需求平穩但壓力存在，車用領域受競爭影響價格下行風險持續。
全球晶圓代工市場呈現需求穩健與產能多區佈局並進的情勢，主要廠商持續擴充先進製程與後段封裝能力，同時因應地緣政治與客戶多元佈局，謹慎調整資本與成本，以維持長期穩健成長。
3Q25 DRAM市場價量齊揚，雲端服務商積極採購及高頻寬記憶體擴張為主要動能。原廠庫存水位低，預期4Q25合約價將大幅加速上漲，各廠利潤率顯著提升。
DRAM合約價續漲，供應商惜售，PC廠供貨受限。現貨交易萎縮，模組價看漲。各應用端庫存普遍下降，尤其中國雲端服務商、企業級伺服器廠及手機品牌廠，行動DRAM價格漲幅可觀。
NAND Flash市場因enterprise SSD需求激增，原廠產出增長有限，4Q25起供不應求。現貨市場價格飆升，原廠庫存快速去化。PC OEM、模組廠、Hyperscalers及Smartphone品牌廠庫存水位各有消長，反映不同市場動態。整體而言...
DRAM市場因雲端服務商與AI需求強勁，供給吃緊導致價格持續飆升，合約與現貨價皆顯著上揚。原廠庫存降至低點，正積極擴大資本支出並與客戶洽談長期供應，預計雙位數漲勢將延續。
AI驅動NAND Flash市場結構性轉變，企業級SSD需求強勁，推升合約與現貨價格。供應商掌握議價主導權，預期市場緊俏將持續，並加速次世代技術投資，以滿足高效能、高密度AI儲存需求。
中國晶圓廠與格羅方德先進製程擴產與佈局，強調自主供應與跨國投資並進，聚焦長期需求引導下的策略調整及技術演進。
DRAM合約價與現貨市場皆顯著上漲，供不應求態勢加劇。儘管未來資本支出增加，但因聚焦先進製程與高附加價值產品，傳統位元產出成長仍受限。
NAND Flash合約與現貨價格大幅上揚，市場供應極度吃緊。產業資本支出轉向混合鍵合與製程升級等先進技術，儘管部分廠商積極擴產，但整體位元產出成長預期有限。
報告指出三大廠積極擴充HBM產能，2025年出貨持續上修，SK hynix領先擴產至150K，Micron台灣廠區同步增能，2026年將全面啟動HBM4量產，Samsung重返供應、出貨增幅居首。
本期Foundry快訊聚焦全球晶圓代工市場動態與供需，評估跨廠良率挑戰、供應鏈變化，指出未來景氣仍具不確定性。
NAND Flash市場因企業SSD需求強勁，供應商惜售並拉抬合約與現貨價，導致供需嚴重失衡，價格全面飆漲。此漲勢預計將持續至明年，上半年將面臨嚴重供不應求。
Micron 因產能策略調整，優先高毛利產品，壓縮標準 DRAM 供應，導致其報價大漲，SK hynix 則較溫和。現貨市場 因需求強勁、庫存惜售而價格上揚，供需持續緊張。
AI發展引導儲存從HDD轉向SSD，推升NAND Flash合約與現貨價格。QLC與TLC需求強勁，預計AI相關SSD將帶動市場結構性成長，NAND Flash將成為AI伺服器與雲端架構的核心。
