美國雲端巨頭加速自研AI晶片推升HBM需求，買方因供應吃緊持續建立庫存，帶動合約價格上漲。雖HBM營收成長，但受conventional DRAM飆升影響，其整體營收佔比反遭稀釋。未來HBM生產將高度依賴台積電先進製程，以滿足邏...
Mobile DRAM受惠合約價強勢上揚，營收創新高並確立賣方主導的超級週期。原廠轉向AI應用導致產能排擠，供給嚴重吃緊，CXMT趁勢在成熟製程擴張。展望未來，價格將劇烈補漲推升原廠獲利，惟高成本迫使手機品牌下修生產...
2025年第四季DRAM營收因AI帶動通用伺服器需求與合約價大漲而勁揚。原廠庫存見底且產能優先供應AI，致使供需失衡加劇，獲利顯著提升。展望2026年首季，雖屬淡季，但雲端業者積極固保貨源，預期價格漲勢將更為劇烈，製...
北美CSP擴大資本支出驅動AI伺服器需求，NVIDIA與自研晶片雙軌並進。鴻海等ODM廠受惠整櫃訂單，並加速美墨產能擴張以強化在地交付。電源散熱大廠台達電與光寶科則因應高算力密度，積極朝高壓直流架構、液冷技術及系統...
第四季受惠新機與AI建置，智慧手機與伺服器出貨成長，唯筆電受經濟影響衰退。展望首季，物料成本高漲導致終端售價提升，將抑制消費性電子買氣，致使整體需求動能轉弱；市場僅靠雲端業者對AI與資料中心的投資，支撐企...
農曆年後合約價確立漲勢，尤以DDR5領漲，行動記憶體亦有補漲可能。雖消費電子因成本高漲導致需求下修，且現貨市場觀望氛圍濃厚，但受惠於AI與伺服器強勁需求，加上無塵室受限使新增產能推遲，整體結構性供貨吃緊態勢...
NAND市場呈結構性分化，合約與現貨價雖漲，但高成本迫使消費端下修出貨。反觀AI驅動企業級需求強勁，原廠積極轉移產能至伺服器領域並嚴控供給，有效抵銷消費疲弱衝擊。整體供需在原廠審慎控管下維持平衡，市場關注點...
晶圓代工市況分歧，三星加速美國擴產惟先進製程良率遇瓶頸；陸系業者受記憶體漲價壓抑消費電子需求，成長普遍放緩，僅華虹受惠 AI 電源管理晶片動能較佳。格羅方德則因應地緣政治與新技術需求，大幅增加資本支出推動...
1Q26 DRAM漲勢由server、PC應用領先，smartphone用LPDRAM價格不排除於2Q26出現補漲。NAND Flash擴產保守、市場庫存處於低檔，2Q26亦具備續漲條件。記憶體價格連續大漲導致消費型終端買氣衰退，但在AI server強勁需求...
MLCC市場第四季出貨呈現兩極化，日韓供應商受益AI基礎建設訂單強勁，出貨增長，而台陸供應商因消費電子疲弱，接單下滑。整體需求形成K型發展，消費電子旺季不旺，受經濟放緩與地緣政治影響，AI需求暢旺。高階MLCC需...
受惠AI強勁需求與供給缺口，韓系原廠上修正式報價，帶動伺服器記憶體合約價上修。儘管產能由消費端轉移，供給增速仍落後需求。為確保長期貨源，客戶於長約談判中納入價格下限機制。
受農曆春節影響，二月利基型DRAM交易轉淡，合約價漲勢收斂。雖買方觀望並消化庫存，但主要供應商產能轉向高階導致舊世代供給短缺，現貨溢價結構未變。在供應吃緊且節後需求有望回溫下，價格具支撐，後市維持看漲格局...
2026年2月，受原廠轉向先進製程影響，成熟製程供給吃緊，推升SLC與MLC NAND Flash合約價全面走揚。其中MLC因缺貨嚴重漲勢最猛，SLC則穩健上行。在工控與車用強勁需求支撐下，預期供需失衡將延續，上半年價格漲勢依然...
全球政經不穩與原物料漲勢導致電子元件成本壓力大增，受AI基建需求推升，記憶體進入超級循環，ODMs議價策略轉為持穩價格確保供貨。供應鏈漲價蔓延，MLCC高階品項需求強勁，供應商優化產能配置轉向高階應用，並因應中...
本季PC DRAM合約價飆升，漲幅較前期顯著擴大。雖筆電全年出貨預估遭下修，但整機漲價預期推升短期通路需求，導致品牌廠庫存下滑並轉向模組廠搶貨。原廠報價一致走高，且優先供貨給品牌廠，導致對模組廠供給受限，推...
