自3Q25起記憶體漲勢放大，該強勢漲幅預估至少延續至1Q26，顯著推升BOM cost 並迫使終端調價。鑑於此，TrendForce再次下修2026年全球 smartphone 生產總量，並且在成本續漲或經濟惡化情況下，年減幅度將進一步擴大。...
DRAM供給缺口擴大，驅動合約與現貨價格強勁上揚，預期首季漲幅顯著且具上修空間。美光財報營收與毛利率大幅優於預期，並預示供應緊缺將延續多年，遂洽談長約並顯著增加資本支出布局HBM及先進製程。機構研判賣方議價...
美國經濟放緩致消費保守，記憶體短缺推升PC筆電漲價，出貨預測下修；AI資料中心需求強勁帶動CSP自研晶片崛起，如Google TPU及AWS Trainium，模組MLCC用量少但規格更高價，日韓廠村田領先良率搶單新規格產品，供應鏈...
NAND Flash受限於供給控管，合約與現貨價格同步走揚。美光財報顯示營收與毛利率大幅躍升，主要受惠於AI與資料中心強勁需求。展望未來，高容量QLC與企業級SSD為關鍵動能，公司將持續聚焦高毛利應用以優化獲利結構。
台積電縮減八吋產能轉攻先進製程；聯電受惠AI與三星未來轉單機會，產能利用率看升。世界先進採購台積電二手設備擴充產能，以滿足強勁電源晶片需求；力積電新案開發提前，並擬出租閒置廠房優化獲利。
受惠於Server DDR5缺貨與AI訂單擴大，DRAM獲利能力逼近HBM水平。在供應商重獲定價權與買方追加採購的雙重驅動下，2026年HBM3e價格預估值從原先的顯著跌幅明顯收斂。
全球伺服器市場受惠於北美CSP與主權雲強勁的AI基礎設施投資，加上通用伺服器迎來換機潮，整體出貨動能將顯著成長。各大雲端巨頭如Alibaba、Oracle與Google皆積極擴大資本支出並布建新一代GPU平台，以支援龐大的AI算...
4Q25 中系smartphone 在記憶體上的漲幅高於美系，促使原廠在1Q26 透過對美系「補漲」以平衡區域價差。初估中系客戶的絕對價格可望略低於美系客戶，但不排除因議價延後、或與2Q26合併議價而再擴大漲幅。此波記憶體價...
行動式 DRAM 合約價出現「中高美低」，中系漲幅遠高於美系。展望後續，原廠將以美系大幅補漲拉近區域價差，中系因議價延後仍有再漲空間。現貨 DDR4高容量產品持續走強，價格回檔有限，整體供給吃緊。記憶體成本大幅...
合約價受晶圓成本與積極拉貨推升，漲幅續強。現貨價在供給受限下創高。手機用NAND Flash因供需失衡帶動歐美與中系價差收斂，合約價大幅補漲，連同DRAM推升Android整體成本，壓縮中低階機種空間。
受通膨影響，黑五銷售雖增但終端買氣趨於謹慎，導致供應鏈對明年首季展望保守並嚴控庫存。然而，AI自研晶片（如Google TPU）需求強勁，帶動高階MLCC成長。廠商持續深化東南亞佈局，日韓廠已針對未來AI商機提前調升產...
美國資料中心建設帶動DDR5等傳統DRAM需求，價格漲勢強勁。未來供應商將依賴HBM4及資料中心DRAM雙引擎支撐獲利。隨著標準型記憶體價格回升與HBM價格動態調整，整體營收結構與獲利模式將產生變化。
全球晶圓代工正面臨成熟製程產能調整，各大廠同步收縮八吋規模、重新配置產品組合，並以高附加價值製程為主軸擴產。中國廠商在本地需求帶動下維持穩健增長，但先進製程仍受設備與良率挑戰。
受惠AI與CSP業者強勁備貨，加上HBM產出擴張，DRAM產業價量齊揚。原廠庫存降至低點且產能轉向高階應用，導致一般型DRAM供應緊缺。展望第四季，買方積極搶貨加深供應商惜售心態，預期全線產品合約價漲幅將顯著擴大，獲...
受惠旺季效應與合約價大漲，Mobile DRAM營收顯著成長，原廠競價更加劇漲勢。雖智慧型手機生產短期略為上修，惟記憶體成本飆升嚴重衝擊低階品牌獲利，未來產出恐面臨衰退。隨著產業加速轉向高階製程，供應鏈資源排擠...
