全球第三季行動式記憶體市場方面,由於PC產業的衰退,全球記憶體產業整體營收季減8.5%。但一線DRAM大廠仍積極轉進行動式記憶體領域,今年預估行動式記憶體的產出量將占整體產出量的21%,明年更上看26%; 而在價格方面,本季行動式記憶體合約價格平均跌幅約在5%左右,較上半年平均10-15%的跌幅已大幅收斂,整體來說由於產出量持續增加,行動式記憶體整體營收仍較前季成長15.4%...
受到全球經濟復甦不確定性的影響,多數NAND Flash供應商對2H12的市況仍傾向保守,因此2012年的供應商的位元產出成長的驅動力仍將以製程技術升級為主,近期多數NAND Flash供應商多已計劃將採取暫時減產,放緩原訂於2H12 的新產能擴增計劃,或將部分 NAND Flash生產線轉為生產其它IC產品,來降低2H12的位元產出成長速率及資本支出預算,以減緩價格下跌對獲利率的衝擊影響...
全球第二季行動式記憶體市場方面,由於全球智慧型手機出貨暢旺與平板電腦的興起下,帶動行動記憶體在第二季需求大幅成長。雖然整體行動式記憶體合約價較第一季跌幅約10%左右,然而整體營收仍較第一季逆勢成長約12.4%。從第二季行動式記憶體營收來觀察,三星半導體市占逼近全球60%,仍穩居龍頭之位,韓系廠商占全球行動式記憶體營收的77.5%,較第一季僅小幅減少1.1%。第三名的日商爾必達市占則是小幅下滑0.8%來到13.9%,美商美光科技則受惠於中低階智慧型手機的成長,市占小幅成長至6.7%,位居第四...
2012 年行動裝置蓬勃發展,蘋果、谷歌、微軟三大陣營各領風騷...
受到全球經濟復甦不確定性的影響,多數NAND Flash供應商對1H12的市況仍傾向保守,因此2012年的供應商的位元產出成長來源仍將以製程技術升級為主,以縮小市場供過於求的缺口,及強化成本的競爭力,來減緩價格下跌對獲利的衝擊性,2012年廠商也將持續淘汰部分200mm晶圓廠設備...
5月8日爾必達正式宣佈併入美光體系,三大DRAM陣營儼然成形,經由這次美光整併爾必達後,綜合兩家公司的市占率,泛美光集團可望一躍逼近24%,高過SK海力士(23.9%),成為僅次三星成為市占率第二的記憶體品牌廠,泛美光集團將整合台美日DRAM廠產能,(新增)整合如美光的Flash製品、爾必達的行動式記憶體及台灣DRAM廠的製造能力,力抗韓系大軍獨大態勢,DRAM產業於今年可正式走向寡占市場,三大DRAM陣營已儼然成形,有助於DRAM顆粒價格逐步走向健康面,避免以往動輒削價競爭的市場態勢...
受全球經濟復甦的不確定因素影響,多數NAND Flash供應商對1H12的市況仍傾向保守,因此1H12的位元成長將以製程技術升級為主,來強化成本的競爭力,2H12開始將視市場需求狀況再適度地增加新的300mm晶圓產能,以縮小NAND Flash市場供過於求的缺口,來減緩價格下跌對獲利性的衝擊,預期主力製程技術將由2H11的2xnm級轉進至2H12的2ynm級,集邦科技預估全球NAND Flash市場位元供給量,將由2011年的9181 M 16Gb equiv.成長70.6% YoY,成為2012年的15663 M 16Gb equiv....
三星囊括Mobile DRAM市場達54%市占率,韓系廠商佔全球市場逼近75%,由於智慧型手機與平板電腦的興起,一線DRAM廠紛紛調高行動式記憶體的生產比重,三星半導體在行動式記憶體出貨持續暢旺下,成為第四季唯一獲利的半導體廠商。行動式記憶體價格方面,2011年第四季價格較上季約有10%的跌幅,LPDDR2 8Gb均價約17.4美元上下;而今年第一季適逢傳統出貨淡季,行動式記憶體仍將維持下跌走勢,預估約有15~20%的跌幅...
受全球經濟復甦的不確定因素影響,多數供應商對1H12的市況多傾向保守,因此1H12的位元成長將會以製程技術升級為主來強化成本的競爭力,2H12時才會視市場需求的狀況來適度地增加新的300mm晶圓產能,以縮小NAND Flash市場供過於求的缺口,以期能減緩價格下跌對獲利性的衝擊影響程度,預期主力製程技術將由2H11的2xnm級轉進至2H12的 2ynm級,因此集邦預估全球NAND Flash市場位元供給量將由2011年的9213 M 16Gb equiv.成長67.7% YoY成為2012年的15448 M 16Gb equiv...
全球DRAM產業於第三季度營收總計為約65.66億美元,由於總體經濟持續疲弱、供過於求情況加劇,第三季DDR3 4GB合約價均價由31美元下跌至19.5美,跌幅將近37%,第三季DRAM廠總營收與上季相較大幅衰退19.4%,除了三星半導體外,其餘DRAM廠皆繳出虧損財報,加上DRAM廠於第四季積極轉進30nm製程與DDR3 4Gb顆粒,2012年上半年供過於求仍超過15%,勢必將加速DRAM產業的減產甚至整併...