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Consumer DRAM 緊缺向下傳導：全球三大原廠產能傾斜引發舊世代降階採購潮
發佈日期
2026-06-17
更新頻率
不定期
報告格式
因AI帶動先進製程需求，三大DRAM原廠縮減成熟製程，產能緊缺沿DDR4向下傳導至DDR2。品牌廠為控管成本與確保配額，降階採用舊世代產品，引發新一波漲勢。台廠則因應市況調整策略，由Winbond退出、ESMT擴產DDR2，凸顯全球DRAM供不應求的結構性緊俏格局。
重點摘要
- 產能向先進製程傾斜： AI基礎建設帶動高階記憶體需求，三大原廠將產能移往先進製程，導致成熟製程的Consumer DRAM供給出現結構性緊縮。
- 需求向下傳導與降階： 面臨供貨不足與整機成本壓力，下游品牌及ODM廠被迫改採舊世代產品（如DDR4降至DDR3/DDR2），使缺貨壓力逐級向下傳導，帶動舊顆粒合約價大幅上漲。
- 台廠議價權升並調整策略： 訂單滿載使台系供應商議價優勢顯著，Winbond策略性逐步退出低毛利的舊世代生產，轉向主力品項；ESMT則反向擴大生產舊世代顆粒以極大化獲利，補足市場合約價暴漲的供給缺口。
- 供不應求格局延續： 舊世代產品遭搶購的現象，充分反映全球DRAM市場整體供不應求的緊俏態勢仍在持續發酵。
目錄
- Consumer DRAM緊缺沿製程世代向下傳導，DRAM原廠調整供給策略應對，然供不應求格局仍然延續
- DRAM主要原廠策略各異，Winbond正逐步退出DDR2生產，ESMT則反向擴大DDR2投片
- Consumer DRAM連環缺貨反映DRAM整體緊缺態勢仍持續發酵
- Projection on Price Trend of 512Mb DDR2
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報告分類: DRAM
